NXP반도체, GaN RF 전력증폭기 첨단 제조시설 준공
NXP반도체, GaN RF 전력증폭기 첨단 제조시설 준공
  • 김주연 기자
  • 승인 2020.09.30 17:53
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미국 애리조나주... 연말 대량 양산 개시
NXP반도체는 미국 애리조나주 챈들러에 5세대 이동통신(5G) 무선통신(RF) 전력증폭기(PA)용 갈륨나이트라이드(GaN) 생산라인(Fab)을 준공했다./NXP반도체

NXP반도체는 미국 애리조나주 챈들러에 5세대 이동통신(5G) 무선통신(RF) 전력증폭기(PA)용 갈륨나이트라이드(GaN) 생산라인(Fab)을 준공했다고 30일 밝혔다.

이 공장은 6인치(150㎜) 웨이퍼 생산라인으로, 미국 안에 있는 GaN 기반 RF PA 생산 공장 중 가장 최첨단 시설이다.

커트 시버스(Kurt Sievers) NXP반도체 최고경영자(CEO)는 기조연설에서 "오늘은 NXP에 중대한 이정표가 되는 날”이라며 “애리조나에 이렇게 훌륭한 시설을 구축하고 핵심 인재를 활용, NXP가 차세대 5G 기지국 인프라를 견인하는 일환으로 GaN 기술에 집중할 수 있게 됐다"고 말했다.

5G에서는 안테나당 요구되는 RF 솔루션 밀도가 기하급수적으로 증가한다. 하지만 안테나 모듈 크기가 커져선 안되고, 전력 소모량도 작아야 한다. GaN 전력 트랜지스터는 이러한 필수 요건을 충족하기 위한 새로운 기준으로 떠오르고 있다.

NXP반도체는 약 20년간 GaN 개발 노하우를 쌓아왔다. 기술 최적화를 통해 반도체 전자 트래핑을 개선, 고효율과 동급 최고의 선형성을 갖췄다. 자체 GaN 팹 구축 전략은 셀룰러 인프라 설계 핵심 역량, 입증된 양산 실적, 전체 품질 공정에서의 일관성과 리더십을 기반으로 한다.

이 공장은 팹과 현장의 NXP R&D팀 간 협업을 촉진하는 혁신 허브 역할을 하게 된다. NXP 엔지니어들은 현재 및 미래 세대의 GaN 기기를 위한 기술을 더욱 신속하게 개발, 검증 및 보호할 수 있으며, 결과적으로 NXP GaN 기술 혁신에 걸리는 시간을 단축할 수 있다.

챈들러에 위치한 NXP의 신규 GaN 팹은 현재 인증을 받았으며, 초기 제품들이 시장에 출시됐다. 대량 양산 가동 시점은 올해 말이다.

NXP반도체의 고객사인 에릭슨(Ericsson)의 개발 유닛 네트워크 책임자 요아킴 솔리우스(Joakim Sorlius)는 "에릭슨은 고객에게 최대의 가치를 제공하는 업계 선도적인 제품을 제공하기 위해 노력하고 있으며 전력 증폭기는 무선 기술에서 중요한 역할을 한다"며 "에릭슨의 최근 미국 투자와 마찬가지로, 미래 수요가 높은 무선 네트워크를 위한 RF 시스템 성능 향상에 지속적으로 초점을 맞춘 NXP의 미국 반도체 공정 개발 투자 행보를 기쁘게 생각한다"고 말했다.


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