로직부터 3D 낸드, D램에서 고종횡비 구조 구현 가능

어플라이드머티어리얼즈

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)는 첨단 메모리와 로직 반도체 생산에 적용할 수 있는 컨덕터 식각 시스템 '센트리스 Sym3(Centris Sym3) Y'를 출시했다고 19일 밝혔다.

이 제품은 센트리스 Sym3(Centris Sym3) 식각 시스템 제품군 중 하나다. Sym3 식각 솔루션은 지난 2015년 첫 출시 이후 현재까지 5000개 챔버가 출하되며 어플라이드 역사상 가장 빠르게 성장하는 제품으로 자리매김했다. 각각의 Sym3 Y 시스템은 여러 개 식각 및 플라스마 클린 웨이퍼 공정 챔버로 구성된다.

'센트리스 Sym3 Y'는 혁신적인 주파수(RF) 펄싱(pulsing) 기술을 사용, 핀펫(FinFET)과 차세대 게이트올어라운드(GAA) 아키텍처는 물론 3차원(3D) 낸드, D램 등에서 고종횡비(HAR) 구조를 생성한다. 이를 위해 필요한 소재 선택성, 깊이, 프로파일 제어를 제공한다.

이 시스템에는 고전조도(high-conductance) 챔버 아키텍처가 적용됐다. 이 아키텍처는 웨이퍼가 옮겨질 때마다 축적될 수 있는 식각 부산물을 빠르고 효율적으로 제거해 탁월한 식각 프로파일 제어를 제공한다. 핵심 챔버 부품을 보호하는 독점 코팅 소재를 사용하며 결함률을 낮추고 수율을 개선한다.

특유의 화학기상증착(CVD) 패터닝 필름으로 공동 최적화해 3D 낸드 메모리 소자 레이어 수를 늘리고 D램 레이어 쿼드러플(quadruple) 패터닝에 필요한 과정을 줄일 수 있게 했다. 전자빔(E-beam) 검사·계측 기술도 적용돼 업계 최첨단 노드 연구개발과 대량 생산에 적합하다. 

무쿤드 스리니바산(Mukund Srinivasan) 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹 부사장 겸 총괄은 “어플라이드는 Sym3 시스템 출시와 함께 컨덕터 식각에 완전히 새로운 접근법을 적용해 3D 낸드와 D램에서 가장 어려운 식각 문제 중 일부를 해결했다”며 "어플라이드는 최첨단 메모리, 파운드리 로직 노드의 주요 식각 및 EUV 패터닝 애플리케이션에서 탄탄한 모멘텀과 성장을 거두고 있다. 앞으로도 기준을 높이고 차세대 칩 설계가 가능하도록 지원할 것”이라고 전했다.

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