인피니언, 1200V CoolSiC 제품군에 62㎜ 산업 표준 패키지 추가

인피니언테크놀로지스가 1200V 실리콘카바이드(SiC) 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 모듈 'CoolSiC' 제품군에 62㎜ 산업 표준 패키지를 추가했다./인피니언

인피니언테크놀로지스(지사장 이승수)는 1200V 실리콘카바이드(SiC) 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 모듈 'CoolSiC' 제품군에 62㎜ 산업 표준 패키지를 추가한다고 16일 밝혔다.

실리콘 기반 절연게이트양극성트랜지스터(IGBT) 기술은 전력 밀도 한계에 도달하고 있다. 하프 브리지 토폴로지로 설계된 트렌치 칩 기술 기반의 검증된 62㎜ 모듈은 250㎾부터 시작되는 중간 전력대 애플리케이션에 SiC를 사용할 수 있게 지원하기 때문에 태양광, 서버, 에너지 저장, EV 충전기, 트랙션, 상업용 인덕션 쿠킹, 전력 변환 시스템 등의 애플리케이션에 활용 가능하다.

인피니언의 CoolSiC MOSFET은 스위칭 손실과 전도 손실이 매우 낮아 방열을 최소화하고, 디바이스를 더 높은 스위칭 주파수에서 작동할 경우 수동소자 부품도 덜 필요하다. 따라서 더 작은 크기의 인버터 디자인을 설계할 수 있고 전반적인 시스템 크기와 비용을 줄일 수 있다.

베이스 플레이트와 스크류 연결로 하우징이 기계적으로 매우 견고해 수리 비용을 줄이고 가동이 중단되는 일도 적다. 열 사이클링 성능이 우수하고 150°C(Tvjop) 연속 동작 온도로 뛰어난 신뢰성을 달성한다. 하우징 내부의 대칭 설계로 상측 스위치와 하측 스위치에 동일한 스위칭 조건이 가능하다. TIM(thermal interface material)을 적용한 모듈을 사용하면 열 성능을 더욱 향상시킬 수 있다.

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