XMC가 자체적으로 개발한 50nm SPI 노어 플래시(SPI NOR Flash)의 전 생산라인 양산에 돌입했다고 밝혔다. 

최근 글로벌 노어 플래시 메모리 칩 영역에서 업계 일반 기술은 65nm다. XMC는 차세대 50nm 기술을 통해 이미 물리적 극한에 근접했으며, 메모리 셀 면적 혹은 메모리 밀도에 있어 모두 국제 선두 수준에 이르렀다고 설명했다. 

알려진 바에 따르면 XMC는 지난해 12월 의미있는 성과를 내고 이후 양산 준비에 돌입했다. 65nm에서 50nm로 공정 수준을 높이는 데 18개월이 걸렸다. 

플래시 메모리는 비휘발성 메모리로서,  이번에 양산된 제품은 와이드 전원 및 전압 상품 시리즈 'XM25QWxxC'로 용량이 16메가에서 256메가 사이다. 성능 테스트 결과 1.65볼트에서 3.6볼트 전압 범위 내에서 이 시리즈의 노어 플래시 메모리 칩 작업 효율이 133메가헤르츠(MHz) 였다. 영하 40도씨, 혹은 105도씨의 환경에서도 작동이 중단되지 않았다. 무장애 중복 이레이저블(erasable) 성능이 10만 차례였으며 데이터 보존 시간도 20년이었다. 

개발진에 따르면 이 칩은 연속적으로 읽기 쓰기 모드를 하는 환경 속에서도 고효율의 메모리 성능을 보여주며 8시간의 명령주기만으로 24-디짓(digit) 어드레스 읽기가 가능하다. 휴대기기의 배터리 수명 역시 1.5배 이상 늘릴 수 있으며 사용자가 와이드 전압 기능으로 더 나은 데이터베이스 관리를 할 수 있다. 

최근 XMC는 사물인터넷(IoT) 기업인 에스프레시프(ESPRESSIF, 乐鑫科技)와도 전략적 협력 관계를 맺고 사물인터넷 애플리케이션 시장에서 연구개발과 시장 개척을 위해 협력키로 했다. XMC의 노어 플래시 메모리 칩을 접목해 사물인터넷 플랫폼을 강화하고 가정용 및 산업용 모둘 수요를 확대할 수 있을 것으로 기대했다. 

XMC는 2006년 설립된 이후 노어 플래시 메모리 반도체 연구개발과 제조에 주력해 온 회사다.