5000만달러 규모... 온세미, SiC 웨이퍼부터 반도체 생산까지 수직계열화

온세미컨덕터 로고./온세미컨덕터

온세미컨덕터는 GT어드밴스드테크놀로지스(GTAT)와 실리콘카바이드(SiC) 소재 생산 및 공급을 위한 5년 계약을 체결했다고 18일 밝혔다.

이번 계약은 약 5000만달러(617억9500만원)로, 이를 통해 GTAT는 고성장 시장 및 애플리케이션을 위한 'CrystX SiC' 소재를 생산해 온세미컨덕터에 공급하게 된다.

SiC 소재는 전기 자동차(EV) 견인 시스템, 하이브리드 및 플러그인 EV, 태양 및 에너지 저장장치, EV 충전과 같은 고부가 시스템에 들어가는 반도체에 적용된다. 기존 실리콘(Si)보다 물성이 뛰어나지만 가공이 어려워 공급망을 탄탄하게 구축하는 게 핵심이다. 온세미컨덕터는 GTAT의 독점적인 150mm SiC 결정을 사용해 SiC 웨이퍼를 자체 생산하고, SiC 공급망 내에서 수직·통합된 공급업체로서의 역할을 더욱 강화해 세계 최고 수준의 공급라인을 유지한다는 방침이다.

또 양 사의 이번 협약은 업계 선도적인 SiC 소재의 가용성을 확대해 엔지니어들이 까다로운 설계 과제를 해결하는데 도움을 줄 것으로 기대된다.

그레그 나이트(Greg Knight) GTAT 사장 겸 최고경영자(CEO)는 “전력 전자 애플리케이션용 고급 반도체 분야에서 선도기업으로 자리매김하고 있는 온세미컨덕터와 협력하게 돼 매우 기쁘다"며 "이번 계약은 전력 전자 애플리케이션을 위해 선호되는 반도체 기판재료인 SiC의 가파른 성장세를 뒷받침하게 될 것“이라고 전했다.

브렌트 윌슨(Brent Wilson) 온세미컨덕터 글로벌 공급망 수석 부사장은 “40년간 축적된 온세미컨덕터의 대용량 웨이퍼 생산 경험과 GTAT의 전문성, 그리고 SiC 결정성장의 발전속도가 결합되면, 역동적인 고전력 와이드밴드갭 시장에서 견고하면서도 확장가능한 공급망을 구축할 수 있을 것"이라며 "GTAT와의 협력을 통해 SiC 와이드밴드갭 소재 기술을 한층 발전시키고, 빠르게 발전하는 이 분야에서 온세미컨덕터의 리더십을 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대된다”고 말했다.

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