중국 미니 LED 연구 기업이 차세대 LED 기술 개발에 한창이다. 

중국 LED 기업 네이션스타(NATIONSTAR)는 선전증권거래소 투자자 교류 플랫폼을 통해 "회사의 '실리콘 베이스 AlGaN(Aluminium gallium nitride) 수직구조 근자외선 하이파워 LED 에피텍셜, 칩과 패키징 연구 및 애플리케이션', 그리고 '컬러 마이크로 LED 디스플레이와 초고휘도 마이크로 디스플레이 기술 연구' 프로젝트가 이미 광둥(广东)성 중점 영역 연구개발 설계 프로젝트 승인을 받아 일정에 따라 정상적으로 추진될 것이라고 밝혔다. 

네이션스타는 사파이어 질화갈륨(GaN) 베이스 및 실리콘 베이스 배킹을 기재로 하는 LED 칩을 주요 사업으로 삼고 있다. 

GaN 베이스 상품은 사파이어 디스플레이 칩, 디지털 카메라용 칩, 백광 조명 칩, 자동차 등용 하이파워 플립칩, UVA 칩 등이 있다. 

네이션스타의 미국 자회사인 레이센트(RaySent)는 실리콘 배킹 GaN 에피택셜과 수직 구조 LED 칩의 주요 기술을 이미 자회사인 궈싱(国星)반도체로 이전했다. 이전된 기술을 바탕으로 궈싱반도체에서 애플리케이션 연구개발과 상업화가 추진되고 있다. 

레이센트는 이미 미국에서 수십개의 특허를 신청한 상태이며 궈싱반도체는 최근 GaN 특허만 200개 이상 신청했다. 이중 실리콘 베이스 GaN 기술 특허는 4개다. 

네이션스타는 회사가 적극적으로 3세대 반도체 관련 기술을 축적하고 있다고 설명했다.