N+1, N+2 공정 성과

중국 SMIC가 극자외선(EUV) 장비없는 7nm 공정에서 성과를 낸 것으로 알려졌다. 

17일 중국 언론에 따르면 최근 SMIC의 량멍쑹(梁孟松) CEO는 SMIC가 7nm 공정에 있어 차세대 N+1, N+2 공정에 대해 설명하면서 "N+1 공정은 14nm 공정과 비교했을 때 성능이 20% 높아진 반면 전력소모는 57% 낮아지고 로직 면적은 63% 줄어드는 동시에 SoC 면적도 55% 감소한다"고 밝혔다. 

N+1 공정은 기본적으로 7nm 공정으로 칩 면적이 55% 축소되는 것은 트랜지스터밀도가 2배로 높아진다는 것으로 기존 14nm와 10nm 공정의 진화폭을 뛰어넘는 것으로 분석됐다.  

 

SMIC 로고. /SMIC 제공
SMIC 로고. /SMIC 제공

 

N+2 공정에 대해선 성능이 높아지면서 원가도 늘어난다. 량 CEO는 "N+1, N+2 공정에서 모두 EUV 공정을 사용하지 않을 수 있다"며 "장비가 구비된 이후 N+2 이후 공정에서야 EUV 공정으로 전환할 것"이라고 전했다. 

이를 두고 여러 중국 언론은 'SMIC가 7nm 공정 성과를 내면서 네덜란드 EUV 장비 제한에서 벗어났다', 또 'SMIC의 7nm 공정의 새로운 지평이 EUV에 의존하지 않고 달성됐다'고 평가했다. 

TSMC의 경우 이미 7nm 3세대까지 진화했으며 저전력 소모 기능의 N7, 고성능 N7P, EUV 공정을 쓴 N7+가 있다. 앞 두세대의 경우 EUV 없는 공정인 셈이다.

SMIC는 이미 14nm 공정에서 성과를 내고 지난해 1%의 매출 기여를 했다고 전하기도 했다. 

량 CEO는 TSMC와 삼성전자 등을 거쳐 SMIC의 경영과 R&D를 이끌고 있다. 

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