중국 다렌에서 지난 2018년부터 제조… SSD 및 옵테인 결합 솔루션 수요

인텔 메모리 및 스토리지 그룹이 쿼드러플레벨셀(QLC) 낸드 다이를 기반으로 한 '인텔 QLC 3D 낸드(NAND) 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)'를 1000만개 이상 생산했다./인텔

인텔 메모리 및 스토리지 그룹은 지난주 중국 다롄에서 제조된 쿼드러플레벨셀(QLC) 낸드 다이를 기반으로 한 '인텔 QLC 3D 낸드(NAND) 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)'의 1000만개 생산을 넘겼다고 12일 밝혔다.

인텔은 해당 제품을 지난 2018년 말에 생산하기 시작했다. 

낸드는 셀 하나에 하나의 데이터를 저장한다. 업계는 셀 당 데이터 저장량을 늘리기 위해 하나의 셀을 두 개로 쪼개는 멀티레벨셀(MLC) 기술을 개발한 다음, 셀 하나를 세 개로 쪼개는 트리플레벨셀(TLC), 그리고 QLC까지 기술을 발전시켜왔다. 하지만 기존 싱글레벨셀(SLC) 대비 이들 기술은 안정성도 떨어지고 수명도 짧다는 지적이 있었다.

인텔은 QLC 기반 SSD의 1000만개 출하 돌파가 이같은 우려를 잠재우는 셈이라고 설명했다. 인텔 QLC 3D 낸드는 인텔 SSD 660p, 인텔 SSD 665p 및 인텔 옵테인(Optane) 메모리 H10 스토리지 솔루션에 사용된다. 

인텔은 지난 10여년간 이 기술을 개발해왔다. 지난 2016년 플로팅게이트(FG) 기술의 방향을 수직으로 바꿔 게이트올어라운드(Gate All-Around) 구조로 구성, 3차원(3D) TLC 기술을 개발했다. TLC 기술은 다이 당 384GB를 저장할 수 있었다. 2018년에 개발한 3D QLC 플래시는 셀 당 4 비트, 64 레이어로 다이 당 1024GB를 저장할 수 있게 됐다. 지난해 인텔은 96층 레이어를 구현해 전체 면적 밀도를 줄였다.

데이브 런델(Dave Lundell) 인텔 클라이언트용 SSD 전략 기획 및 제품 마케팅 담당 디렉터는 “인텔은 QLC 기술을 대규모로 출하하는데 성공했다”며 “인텔은 QLC SSD의 비용 효율적인 용량, 인텔 옵테인 기술과 QLC 솔루션을 결합한 성능에 대한 강력한 수요가 있음을 확인했다”고 말했다.

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