전력 관리 설계가 점점 더 어려워지고 있다. 감당해야하는 전력이 커지면서 열 관리가 까다로워졌기 때문이다. 인피니언테크놀로지스(지사장 이승수)가 부품을 혁신, 시스템의 향상을 높이는 데 주력하고 있는 이유다.

인피니언은 이같은 노력의 일환으로 새로운 산업 표준 패키지 콘셉트인 '소스 다운(Source Down)'을 적용한 첫 전력 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) '옵티모스(OptiMOS) 25V' 제품을 출시했다고 12일 밝혔다.

전류는 드레인(Drain)에서 채널을 거쳐 소스(Source)로 움직인다. 기존 반도체 패키지는 드레인 전위를 열 패드에 연결하는데, '소스 다운'은 소스 전위를 열 패드와 연결해 열 관리를 효율적으로 하게 해준다. 이렇게 하면 보드(PCB) 설계를 다른 방식으로 할 수 있고, 전력 밀도와 성능도 높일 수 있다. RDS(on) 저항 값도 기존 대비 30%까지 낮출 수 있다.

이 제품은 소스 다운 표준 게이트와 소스 다운 중앙 게이트 등 2가지 버전으로 출시됐다. 모두 PQFN 3.3×3.3㎜로 제공된다. 

소스 다운 표준 게이트 버전은 기존 PQFN 3.3×3.3㎜ 패키지와 핀아웃 구성이 같아 바로 대체 가능하다. 중앙 게이트 버전은 게이트 핀을 중앙으로 옮겨서 여러 개의 MOSFET을 병렬로 구성할 수 있게 했다. 드레인-소스 연면거리가 더 넓어 단일 PCB 레이어에 여러 디바이스의 게이트를 연결할 수 있다. 소스 면적도 넓어지고 전기적 연결도 좋아진다.