14nm 연구개발 성과 강조...올해 추가 진척 기대

중국 주요 파운드리 기업 화훙그룹이 14nm 공정에서 연구개발이 성과를 내고 있다고 밝혔다. 

중국 언론 콰이커지에 따르면 12일 화훙그룹은 우시에 건설된 팹7에서 '2020년 글로벌 파트너 좌담회'를 열고 최근 자사 생산라인과 수율 동향을 공개했다. 이 자리에는 중국 내 30여 개 기업, 해외 50여 개 기업이 참석해 정보를 공유했다. 

이 자리에서 화훙그룹은 지난해 생산능력이 확장하고 공정 수준이 높아졌다고 소개했다. 

팹7의 경우 지난해 9월 17일 시생산에 돌입, 첫 분기에 1만 개의 생산능력에 대한 장비 연계와 공정 검증을 마쳤으며 생산 단계로 접어들었다. 동종 업계에서 가장 빠른 기록이라고도 덧붙였다. 중국 대륙의 첫 12인치 특수 공정 생산라인인 동시에 첫 12인치 파워칩 파운드리 생산라인이 될 것이라고 강조했다. 

팹6은 2018년 10월 18일 시생산에 돌입한 이래 생산능력이 개선되고 있으며 최근 이미 월 2만 개 생산 가능한 설비가 갖춰졌다. 

팹5는 2년 연속 이익을 내고 있으며 연간 출하량과 일별 작업량이 기록을 경신하고 있다. 

화훙그레이스(H-Grace)의 8인치 특수 공정 제조 플랫폼(화훙 팹1, 2, 3)의 경우 생산 규모와 운영 효율 방면에서 선두 지위를 이어가면서 연속 9년간 이익을 내고 있다. 

화훙그룹은 업계에서 유일하게 12인치 생산라인을 2년 연속 건설 및 시생산 한 기업이라고도 부연했다.

 

화훙 로고. /화훙 제공
화훙 로고. /화훙 제공

 

회사는 생산 방면 이외 연구개발 측면에서도 성과를 내고 있다고 강조했다. 

새롭게 개발한 65/55nm 노드 RF 및 BCD 특수 공정 플랫폼의 경우 세계 선두 수준이며, 28nm 공정(28LP/28HK/28HKC+)의 양산을 실현했다고 전했다. 22nm 연구개발도 가속하고 있으며 14nm 연구개발 역시 큰 진척을 냈다고 소개했다. 

특히 차세대 공정으로서 14nm 핀펫(FinFET) 공정은 이미 전 생산라인이 연결, SRAM 수율이 25%에 이르렀다며 올해 진척을 기대했다. 

화훙그룹이 14nm의 구체적 수율을 공개한 것은 이번이 처음이다. SRAM의 25% 수율이 아직 생산에는 미치지 못하는 수준이지만 연구개발과 테스트에 성과를 내고 있다는 입장이다. 

전반적으로 14nm 공정의 경우 아직 SMIC의 14nm에는 이르지 못하는 셈이다. SMIC의 경우 14nm 공정 지난해 수율이 95%에 이르렀다고 밝힌 바 있다. 
 

저작권자 © KIPOST(키포스트) 무단전재 및 재배포 금지