하반기부터 인텔은 3D 낸드, TSMC는 첨단 로직 공정 증설 투자
SEMI, 올해 팹 장비 투자액 총 566억 달러 전망.. 내년 580억 달러

세계반도체장비재료협회(SEMI)는 전세계 전공정(Fab) 장비 투자액이 올해 1분기에 저조한 성적을 보였으나, 인텔과 TSMC 등이 투자를 늘리면서 올해 총 566억달러(66조 1088억원)에 달할 것으로 보인다고 18일 밝혔다.

이는 전년보다 7% 하락한 수치로, 지난 6월 전망치(19% 하락)보다는 양호하다. 내년 2020년 팹 장비 투자액은 580억달러(67조7440억 원)로 예상된다.

이는 3차원(3D) 낸드를 중심으로 한 메모리 분야와 첨단 로직 반도체 및 파운드리 분야를 중심으로 투자가 진행됐기 때문이다.

 

반기별 반도체 장비 투자 추이./SEMI

위 그래프를 보면 작년 하반기에는 팹 장비 투자가 10%, 올해 상반기에는 12% 감소했다.

올해 상반기에는 3D 낸드 투자가 2018년 하반기 대비 57% 급락하면서 메모리 분야에 대한 팹 장비 투자액이 38% 감소하여 100억 달러 이하로 떨어졌다. D램 분야에 대한 투자도 2018년 하반기와 올 상반기에 각 12%씩 하락했다.

하지만 하반기 인텔이 3D 낸드 투자에 나서고 TSMC가 첨단 로직 공정을 증설하면서 첨단 로직 반도체와 파운드리에 대한 투자는 1분기보다 26%, 3D 낸드 분야에 대한 투자는 70% 이상 급증할 것으로 전망된다. D램의 경우 투자액 감소세는 올해 하반기까지 지속되고 있으나 7월 이후 하락폭은 줄어들었다.

소니가 주도하는 이미지 센서 분야의 팹 장비 투자액은 내년 상반기 20%, 하반기에는 90% 이상 증가해 16억 달러(1조8688억원)에 이를 것으로 예상된다. 인피니언, ST마이크로일렉트로닉스, 보쉬가 주도하는 전력 반도체에 대한 투자는 2020 년 상반기 40 % 이상, 하반기 29 % 증가한 약 17억 달러(1조9856억 원)로 점쳐진다. 

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