중국에서 반도체용 포토레지스트 연구개발을 위한 협력 프로젝트가 시작됐다. 

중국 샤먼 헝쿤(HENGKUN)과 중국 정부 산하 중국과학원마이크로전자연구소 산업화 플랫폼 난징(南京)청신(诚芯)반도체기술연구원이 협력해 공동으로 반도체용 포토레지스트 연구개발 및 산업화 프로젝트를 추진키로 했다. 

샤먼러바오에 따르면 헝쿤 관계자는 "헝쿤은 중국과학원마이크로전자연구소의 글로벌 반도체 산업 기술 우위를 토대로 연구개발 역량을 강화하고 하이엔드 포토레지스트와 관련 원재료 기술 개발 및 산업화에 나설 것"이라고 밝혔다. 헝쿤은 샤먼에 본부를 둔 반도체 첨단 재료 연구개발 센터 설립을 계획하고 있다. 이 연구소에서 포토레지스트와 첨단 반도체 재료 연구를 추진하게 된다. 

헝쿤은 1996년 설립됐으며 2015년 중국 증시 신산반(新三板)에 상장했다. 샤먼러바오에 따르면 이 회사는 이미 중국 내 선두급의 반도체 초고순도 전구체(Precursor)와 하이엔드 포토레지스트 기업이다. 이미 중국 내 여러 하이엔드 반도체 기업에 재료를 공급하고 있다. 

올해 관련 투자를 강화해 두 개의 반도체 재료 공장을 건설할 계획이다. 

난징청신반도체기술연구원은 지난해 11월 설립됐으며 난징 푸커우가오신구(浦口高新区)에서 중국과학원마이크로전자연구소와 협약을 맺고 연구개발, 자원 집적, 인재양성, 기업 인큐베이팅 등을 하고 있는 기구다.