마우저, 전파 지연 시간 10㎱ 불과한 GaN FET 출시
마우저, 전파 지연 시간 10㎱ 불과한 GaN FET 출시
  • 김주연 기자
  • 승인 2019.08.20 13:14
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TI의 LMG1210으로 200V 하프 브리지 MOSFET과 함께 활용
마우저가 TI의 질화갈륨(GaN) FET 드라이버 'LMG1210'을 공급한다. 이 제품은 200V 하프 브리지 MOSFET과 함께 동작한다.

마우저일렉트로닉스가 텍사스인스트루먼트(TI)의 200V 하프 브리지 상보성금속산화물 전계효과트랜지스터(MOSFET) 및 질화갈륨(GaN) FET 드라이버 'LMG1210'을 유통한다고 20일 밝혔다.

이 제품은 TI의 GaN 전력 포트폴리오 제품군에 속한다. 기존 실리콘 기반의 소자들보다 높은 효율, 전력 밀도 향상, 전체 시스템 크기 축소 등의 장점을 갖췄고, 속도가 필수인 전력 변환 시스템에 맞게 최적화됐다.

LMG1210은 50㎒급으로, 최대 200V 증가 모드 GaN FET과 함께 작동하도록 설계됐다. 최대 성능과 고효율 작동에 최적화돼 전파 지연 시간이 10㎱에 불과하다.

스위치 노드 정전용량은 1pF에 불과하며, 사용자가 조정할 수 있는 불감 시간 제어 기능을 갖췄다. 이 덕분에 시스템을 설계할 때 불감 시간을 최적화할 수 있어 효율 향상에 도움이 된다.

TI의 LMG1210은 하이 사이드-로우 사이드 지연 정합 시간 3.4㎱, 최소 펄스 폭 4㎱, 내부 로드롭아웃(LDO) 장치를 갖춰 공급 전압에 관계 없이 5V 게이트 드라이브 전압을 제공한다. 

이 드라이버는 또한 공통 모드 과도응답 내성(CMTI)가 업계 최고 수준인 300V/ns 이상으로 높은 시스템 잡음 내성을 실현한다.

TI의 LMG1210 드라이버는 고속 DC/DC 변환기, 모터 제어, 클래스-D 오디오 증폭기, 클래스-E 무선 충전, RF 엔벨로프 추적, 기타 전력 변환 애플리케이션 등 다양한 분야에 사용할 수 있는 이상적인 소자다.


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