TSMC가 3nm 극자외선(EUV) 공정 고객을 이미 접선하고 있다고 밝혔다. 

중국 환치우왕 등에 따르면 최근 투자자와 금융 애널리스트 컨퍼런스콜에서 TSMC의 수석집행관 겸 공동 주석인 CC Wei는 이같이 밝히며 "TSMC는 3nm 노드의 개술 개발이 매우 순조롭게 진행되는 중으로, 이미 초기 고객과 기술 콘셉 등을 위한 접선을 하고 있다"고 말했다.

또 "TSMC는 3nm 공정을 통해 향후 업계에서 선도적인 지위를 확대할 수 있을 것"이라고 기대했다. 

TSMC는 이미 모든 가능성의 트랜지스터 구조를 옵션에 두고 평가를 거쳐 솔루션을 공급할 계획이다. 

TSMC는 3nm 공정이 업계 선두 파트너들의 수요에 부합할 것이라고 믿고 있다고 중화권 언론은 전했다. 3nm는 완전히 새로운 공정이며 5nm의 개조 및 업그레이드가 아니라는 점도 확인했다. 

동시에 TSMC의 3nm 공정은 DUV와 EUV 장비를 동시에 사용하게 된다. 

TSMC의 5nm 공정이 14단의 EUV를 사용했기 때문에 3nm의 경우 단수가 늘어날 것으로 전망된다. 

삼성전자는 2021년 3nm GAA 공정을 출시할 계획이다.