750도씨 환경에서 무습곡 구현

중국 과학기술 싱크탱크 역할을 하는 중국과학원이 진전된 그래핀 웨이퍼 기술을 개발했다고 밝혔다.

10일 중국과학원 상하이마이크로시스템 및 정보기술연구소 정보기능재료국가중점연구실은 셰샤오밍(谢晓明) 연구원이 이끄는  그래핀 연구팀이 처음으로 상대적 저온인 750도씨(℃) 조건 하에서 화학기상침적(chemical vapour deposition) 에피텍셜을 채용해 6인치 무(無) 습곡 그래핀 웨이퍼 제작에 성공했다.

 

중국과학원 상하이마이크로시스템 및 정보기술연구소 정보기능재료국가중점연구실의 그래핀 기술. /중국과학원 제공

 

상하이마이크로시스템연구소 연구팀은 사파이어를 이용한 기판으로 더 강력한 촉진화 성능을 가진 동니켈 단결정 박막을 구현, 이로써 에피텍셜 생장 그래핀 단결정의 생장 온도를 1000도씨에서 750도씨까지 낮췄다. 이렇게 제작된 6인치 그래핀 단결정 박막은 습곡이 없으며 입자 오염도 없었다. 반면 전기학적 성능은 고온 조건에서 얻은 그래핀 수준이었다.

단결정 그래핀 웨이퍼의 대량 제조는 그래핀을 전자학 영역에서 대규모로 응용하기 위한 전제 조건이다. 저온 에피택셜 웨이퍼용 그래핀 단결정은 그래핀의 응용에 있어 향후 중요한 의의를 가질 것으로 전망되고 있다.

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