삼성전자(대표 김기남·김현석·고동진)는 무선 통신 성능을 대폭 강화한 5세대(5G) 이동통신 밀리미터파(mmWave) 기지국용 무선 통신 핵심칩(RFIC)을 개발했다고 22일 밝혔다.

이 제품은 지원 주파수와 통신 성능을 대폭 개선하면서도, 저전력 성능은 업계 최고 수준을 유지했다. 삼성전자는 지난 2017년 업계 최고 수준의 저전력 성능을 가진 1세대 무선 통신 핵심칩을 개발한 바 있다.

차세대 무선 통신 핵심칩은 신호 대역폭을 기존 800㎒에서 1.4㎓로 75% 확대했다. 노이즈와 선형성 특성을 개선해 송수신 감도를 향상시켜 최대 데이터 전송률과 서비스 가능 대역을 넓혔다.

크기도 기존 대비 약 36% 작아졌고, 저전력 기능과 방열 구조물 최소화로 5G 기지국을 더욱 소형화할 수 있다.

이번 차세대 무선 통신 핵심칩은 28㎓과 39㎓에 대응 가능하며, 해당 대역을 5G 상용 주파수 대역으로 선정한 미국, 한국 등에서 5G 제품 경쟁력을 한층 강화할 수 있게 됐다.

삼성전자는 올 2분기부터 차세대 무선 통신 핵심칩을 양산할 예정이다. 유럽, 미국에서 추가 할당 예정인 24㎓, 47㎓ 주파수 대응 칩은 올해 안에 추가 개발한다.

디지털-아날로그변환 칩(DAFE)도 자체 개발했다. 디지털-아날로그변환 칩은 5G 초광대역폭 통신 시 디지털 신호와 아날로그 신호를 상호 변환하는 칩으로 5G 기지국에 적용하면 제품의 크기와 무게, 전력 소모를 약 25% 줄일 수 있다.

기지국의 소형·경량화는 통신 사업자의 네트워크 투자비용 및 운영비용을  줄여 더 많은 지역에서 더 빨리 5G 서비스를 제공할 수 있게 된다.

전경훈 삼성전자 네트워크사업부장 부사장은 "삼성전자는 현재까지 국내외 핵심 사업자들에게 3만6000대 이상의 5G 기지국 공급을 완료했다”고 말했다.