스위칭 손실 실리콘 대비 80% 감소…질화갈륨(GaN) 전력단 출시
스위칭 손실 실리콘 대비 80% 감소…질화갈륨(GaN) 전력단 출시
  • 김주연 기자
  • 승인 2018.12.26 16:23
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게이트 드라이버 내장한 TI의 'LMG3410R070' 마우저 유통

마우저일렉트로닉스는 텍사스인스트루먼트(TI)의 600V 70mΩ 질화갈륨(GaN) 전력단 'LMG3410R070'을 공급한다고 26일 밝혔다. 

 

이 제품은 산업 및 소비재 전원 장치 등 고밀도 전동기 애플리케이션의 새로운 요구사항을 지원한다. 실리콘 트랜지스터보다 높은 전류, 온도, 전압, 스위칭 주파수를 갖추고 있고 스위칭 손실은 최대 80% 감소한다.

내부에 게이트 드라이버가 집적됐고 뛰어난 보호 성능을 바탕으로 실리콘 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 및 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)보다 향상된 성능을 제공한다.

공통 소스 유도용량이 영(0)이며, 사용자가 조정할 수 있는 슬루율 25~100V/ns, MHz 작동 시 전파 지연 시간이 20ns다. 150V/ns 이상의 슬루율 내성으로 과전류 보호, 과온도 보호, 과도적 과전압 내성뿐만 아니라 모든 공급 레일에서 과전압 차단 보호 같은 기능도 제공한다. 

소형, 8×8㎜ QFN 패키지로 생산되고, 보호용 외부 부품이 필요하지 않아 간소하게 설계할 수 있다.

특히 케멧(KEMET)의 표면 실장형 커패시터 KC-LINK와 함께 사용하기 적합하다. TI의 LMG3410R070 IC처럼 고속 스위칭 반도체의 수요를 충족하기 위해 설계된 KC-LINK 커패시터는 초저 유효 직렬 저항과 열 저항 성능을 갖춰 고주파, 고전압 DC 링크 애플리케이션의 응력을 견딜 수 있다.

TI의 LMG3410R070 전력단이 제공하는 뛰어난 전력 밀도 덕분에 토템폴 PFC 같은 효율적인 토폴로지를 활용할 수 있으며, 전원 장치의 크기가 최대 50% 감소한다.

LMG3410R070 IC는 멀티 레벨 변환기, 태양광 인버터, 고전압 배터리 충전기, UPS(무정전 전원 장치) 같은 애플리케이션에 적합한 소자이다.


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