◇ 경북도 "와이드갭 반도체 산업 육성"…대구·부산과 협력경북도가 21일 와이드밴드갭 반도체 산업 육성에 나서겠다고 밝혔다.와이드갭 반도체란 실리콘보다 큰 밴드갭(전자가 존재하지 않는 공간)을 갖는 반도체 재료인 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN), 산화갈륨(Ga2O3)으로 생산한 차세대 반도체다.경북도는 이 반도체가 기존 실리콘 소재 기반 반도체보다 초고속, 고효율, 고온, 극한 환경에 뛰어난 특성을 가져 차세대 이동통신, 항공·우주, 군수, 차량용 반도체 시장에서 급부상하고 있어 관련 산업 기반을 선제적으로 구축해 나간다는 방
중국 LED 기업이 1조 5000억 원 이상의 증자를 통해 후베이에 건설하고 있는 미니/마이크로 LED 공장 투자를 이어간다. 싼안옵토일렉트로닉스는 21일 공시를 내고 중국증권감독회 발행심사위원회로가 2022년 3월 21일 회사의 2021년 A주 비공개 공모 심사를 진행했다고 밝혔다. 심사 결과, A주 비공개 발행 신청이 승인됐다. 싼안옵토일렉트로닉스의 이번 증자 규모는 79억 위안(약 1조 5116억 원) 이하이며, 이 금액은 후베이 지사의 미니/마이크로 디스플레이 산업화 프로젝트 및 운용 자금으로 사용된다. 이 프로젝트의 총 투
지능형 전력 및 센싱 기술 전문업체인 온세미(onsemi)는 지속 가능한 재무 성과 목표를 달성하기 위한 팹-리터(fab-liter) 제조 전략을 실행한다고 2일 밝혔다.이를 위해 온세미는 지난 주 미국 메인(Maine) 주 사우스 포틀랜드(South Portland) 소재 제조 시설과 사업장을 다이오즈 인코퍼레이티드(Diodes Incorporated)에 매각하는 최종 계약에 서명했다. 다이오즈 인코퍼레이티드는 자사 아날로그 제품 성장을 위해 200㎜ 웨이퍼 공정 생산량을 확대할 계획이다. 해당 거래는 2022년 2분기에 체결될
중국에서 제 3세대 반도체 재료를 적용한 반도체 생산이 늘어나면서 패키징 기업도 기술 보폭을 맞추고 있다. 중국 언론 지웨이왕에 따르면 JCET가 투자자 교류 플랫폼을 통해 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 제 3세대 반도체 패키징 및 검측 능력을 확보, 최근 태양광 및 충전기 기업으로 관련 제품을 출하했다고 밝혔다. 중국에서는 SiC, GaN 등 신소재 기반 반도체를 제 3세대 반도체라 칭하며 관련 공급망을 적극적으로 확보해나가고 있다. 이들 3세대 반도체는 내고온, 내고압, 고효율 등 특징을 지녀 스마트폰용 고속 충
숨가쁘게 변화하는 산업 환경에서 매주 기업들 소식이 쏟아져 나옵니다. KIPOST는 다양한 전자 제조 관련 기업들의 사업 전략과 수행 실적을 엿볼 수 있는 정보들을 일주일간 한 데 모아 제공합니다.
중국 정부 차원의 3세대 반도체 기술을 종합적으로 개발하고 테스트, 산업화할 수 있는 대단위 클러스터가 조성된다. 3세대 반도체란, 내열과 고속 성능을 동시에 가지는 신소재로 만드는 반도체로서 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등이 대표적이다. 4일 중국 '국가제3세대반도체기술혁신센터 연구개발 및 산업화 기지'가 착공했다. 쑤저우(苏州) 나노시티(纳米城)에 들어서는 이 기지는 1기 규모가 105묘(亩)이며, 총 건축 면적은 20만 ㎡가 넘는다. 투자액은 18억 위안(약 3383억 원)이며. 50억 위안(약 93
대만 웨이퍼 기업 글로벌웨이퍼스가 실리콘카바이드(SiC) 기판을 이미 출하한 데 이어, 내년 생산능력을 큰 폭으로 늘린다고 밝혔다. 중국 언론 쥐헝왕에 따르면 글로벌웨이퍼스가 6인치 SiC 기판을 이미 ST마이크로일렉트로닉스 등 유럽 자동차용 반도체 기업에 공급한 것으로 나타났다. 최근 고객의 수요가 강세를 보이면서 내년 생산능력은 최근의 3배에 이를 것으로 내다보고 있다. 글로벌웨이퍼스의 쉬시우란(徐秀兰) 회장은 "내년 질화갈륨(GaN)과 SiC 생산능력을 갑절 이상 늘릴 것"이라며 "미국에서 SiC 석영 에피텍시(Epitaxy)
화합물 반도체 전문업체 RFHIC는 RF에너지 분야 사업을 본격 확대한다고 26일 밝혔다. RFHIC는 주력 생산품인 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 및 전력증폭기를 적용시킨 ‘반도체형 마이크로웨이브 제너레이터(Solid-State Microwave Generator)’를 다양한 RF에너지 분야에 활용할 계획이다. 이를 통해 기존 통신·방산사업에서 RF에너지사업까지 사업 포트폴리오를 확장할 수 있을 것으로 기대한다. RFHIC가 반도체형 마이크로웨이브 제너레이터를 적용시키는 사업 분야는 플라즈마(Plasma), 가열(Heating),
TI(텍사스인스트루먼트)는 자사의 GaN(질화갈륨)과 MCU(마이크로컨트롤러) 기술을 델타 일렉트로닉스의 엔터프라이즈 서버 전원 공급장치(PSU) 설계를 위해 제공한다고 23일 밝혔다.TI는 이 장치가 기존 아키텍처를 사용한 서버 전원 공급 장치에 비해 1% 효율 향상을 나타내 최대 99.2%의 효율을 달성한다고 설명했다. 에너지 싱크탱크인 에너지 이노베이션에 따르면 이러한 1%의 효율 향상은 데이터 센터 당 1메가 와트의 TCO(총소유비용)를 절감하는 것과 같은 효과이며 이는 800가구의 전력 소모량과 같다. 델타 일렉트로닉스는
반도체 장비 시장점유율 1위 미국 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 8인치(200㎜) 화합물 반도체용 장비 공급을 본격화한다. 8인치·12인치가 일반화 된 일반 실리콘(Si) 반도체와 달리, 화합물 반도체는 아직 6인치(150㎜) 공정이 메인이다.AMAT은 8인치 SiC(실리콘카바이드) 반도체 생산용 장비 신제품을 출시하고, 기존 화합물 반도체 제조사들의 8인치 공정 전환을 지원한다고 14일 밝혔다. 8인치 웨이퍼로 화합물 반도체를 생산하면, 웨이퍼 1장 당 다이(die) 수를 두 배로 늘릴 수 있다. 그 만큼 효율적 생산이 가능하
반도체 장비 전문업체 ACM리서치는 SiC(실리콘카바이드)·질화갈륨(GaN)·갈륨비소(GaAs) 등 화합물 반도체용 WLP(웨이퍼레벨패키지) 장비(모델명 Ultra ECP GIII)를 출시했다고 14일 밝혔다. 신제품은 후면 딥 홀(Backside deep hole) 공정에서 금(Au)을 도금하는데 사용된다. 6인치 플랫 에지(flat edge) 및 노치 웨이퍼(notch wafer) 대용량 처리를 지원하는 완전 자동화 플랫폼을 갖추고 있다. ACM리서치의 2차 양극(second anode) 공급 장치 기술과 고속 그리드 기술(Pa
세계적인 화합물 반도체 산업 호황에도 불구하고, 우리나라는 실리콘 반도체 대비 미약한 저변 탓에 ‘남의 집 잔치’가 되고 있다. 국내서 화합물 반도체 팹리스도 보기 드물지만 실제 생산을 맡길 파운드리는 100% 해외 의존하는 실정이다.그동안 화합물 반도체 산업은 다품종 소량생산에 틈새 시장으로 여겨져왔다. 그러나 5G(5세대) 이동통신 기술과 전기차 부상과 함께 성장성이 주목받고 있다.
전기차 성능 개선을 위해 SiC(실리콘카바이드) 전력반도체를 확대 적용하려는 움직임이 본격화되고 있다. 기존 실리콘 반도체 대비 전력 효율이 좋아 열 발생량이 적고, 인버터의 부피와 무게를 크게 줄일 수 있기 때문이다. 차세대 혁신 반도체로 꼽히는 SiC 전력반도체가 전기차에 확대 적용될 경우 주행거리 연장 등 차량 성능에 큰 변화가 있을 것으로 전망된다.
정밀 절단장비 전문업체 네온테크는 중국 선전자카세미컨덕터테크놀러지(이하 자카)와 37억원 규모의 다이싱쏘(Dicing Saw) 공급계약을 체결했다고 22일 밝혔다. 이번에 공급할 장비는 마이크로 LED(발광다이오드) 및 웨이퍼용 다이싱쏘다. 마이크로 LED는 사파이어 웨이퍼 위에 성장시킨 질화갈륨(GaN)층을 마이크로미터(㎍) 단위로 잘라 디스플레이용 서브픽셀을 만든다. 이때 사용하는 장비가 다이싱쏘다. 네온테크가 자카와 공급계약을 체결한 것은 올해로 세 번째다. 앞서 지난 5월과 6월에 각각 36억원 규모의 공급계약을 체결했다.
중국 기업이 영국 최대 반도체 제조업체 인수를 추진중인 것으로 전해졌다. 최근 격화하고 있는 미중 무역 갈등과 세계적인 반도체 수급난속에서 중국 정부가 반도체 기술 자립을 표방하고 중국 내 반도체 산업 발전에 대규모 투자를 강화하고 있는 상황에서 이같은 소식이 알려져 눈길을 끈다. 다만 영국 현지 정치권에서 반대의 목소리도 나오고 있어 영국 정부가 이같은 딜을 최종 승인할지 여부는 아직 미지수다. 지난 2일(현지 시각) CNBC와 중국 외신 보도에 따르면 중국 원타이과기의 자회사인 네덜란드 반도체 기업 넥스페리아(중국명 안시반도체)
NXP 반도체는 GaN(질화갈륨) 기술을 멀티칩 모듈 플랫폼에 통합해 5G(5세대) 이동통신 에너지 효율성을 크게 향상시켰다고 29일 밝혔다.에너지 소비 절감은 통신 인프라의 주목표다. 멀티칩 모듈에서의 GaN 기술 도입은 2.6GHz에서의 라인업 효율성을 이전 세대 대비 8% 포인트 높은 52%로 향상했다. NXP는 이것에 더불어 LDMOS와 GaN의 조합을 통해 단일 장치에서 400MHz의 즉각적인 대역폭을 지원함으로써 단일 전력 증폭기로 광대역 무선 장치를 설계할 수 있게 만들었다.NXP의 5G 멀티 칩 모듈을 통해 에너지 효
중국 3세대 반도체 산업의 핵심 기지가 될 싼안옵토일렉트로닉스의 반도체 공장이 가동에 돌입했다. 23일 싼안옵토일렉트로닉스의 자회사인 싼안반도체의 후난(湖南) 싼안 반도체 기지 1기 공장이 시생산에 들어가 공정 조율과 테이프아웃 단계에 진입했다. 중국 처음으로 실리콘카바이드(SiC) 수직 공급망을 갖춘 이 공장은 월 3만 장의 6인치 SiC 웨이퍼를 생산할 수 있다. 이 기지 건설에는 총 160억 위안(약 2조8019억 원)이 투자됐다. 중국 3세대 반도체 산업에 중요한 의의를 가지는 공장으로 평가되고 있다. 이 공장에선 실리콘카바
위성 통신 시스템은 동영상 및 광대역 데이터 전송에 필요한 매우 높은 데이터 전송 속도를 달성하기 위해 복잡한 변조 방식을 사용한다. 이를 위해서는 높은 RF(무선 주파수) 출력 파워를 제공하는 동시에 신호가 이상적인 특성을 유지하도록 해야 한다.마이크로컨트롤러, 혼합 신호, 아날로그 반도체 및 플래시-IP 솔루션 분야의 세계적인 리더인 마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표 한병돈)는 RF 파워와 신호 충실성(signal fidelity)을 훼손하지 않으면서 이러한 요건을 충족하는 새로운 파워 증폭기 'GMICP273
중국 LED 기업 싼안옵토일렉트로닉스(Sanan Optoelectronics)가 후베이(湖北)성 어저우(鄂州)시 거뎬(葛店)경제기술개발구에 건설한 기지가 곧 정식 양산을 앞뒀다. 이 곳은 마이크로LED 질화갈륨(GaN) 칩, 갈륨비소(GaAs) 칩, 4K 디스플레이용 패키징 등 제품 연구개발 및 생산기지다. 여기서 마이크로LED는 30마이크로미터 이하 직경의 LED를 의미한다. 중국 언론 후베이르바오에 따르면 싼안옵토일렉트로닉스는 2019년 4월 건설 프로젝트를 시작해 7월 착공 이후, 올해 1기 공장 일부가 4월 시운영에 들어갔으
중국 3세대 반도체 기술 기업이 투자한 웨이퍼 공장이 양산을 시작했다. 중국 언론 다반다오치찬예왕에 따르면 이노사이언스(INNOSCIENCE)가 투자해 쑤저우(苏州)에 건설한 8인치 질화갈륨온실리콘(GaN-on-Si) 웨이퍼 공장이 양산에 돌입했다고 5일 밝혔다.지난 해 말 장비 반입이 이뤄진 1기에 80억 위안(약 1조3900억 원)이 투자됐다. 전체 공장 가동시 연간 78만 장의 8인치 질화갈륨온실리콘 웨이퍼를 생산할 수 있는 능력을 갖췄으며 올해 월 6000장 생산을 목표로 세웠다. 전면 생산시 연간 150억 위안(약 2조60