반도체⋅디스플레이용 메탈마스크 제조사 DNP(다이니폰프린팅)가 2nm(나노미터) 공정용 포토마스크 개발에 돌입했다. 향후 양산 체제 구축을 위해 MBMW(멀티빔마스크라이터)를 2대 더 주문하기로 했다. DNP는 2nm 로직반도체 노광공정을 위한 포토마스크 R&D(연구개발)를 시작했다고 27일 밝혔다. EUV(극자외선) 노광공정에 쓰이는 포토마스크는 원판인 블랭크마스크에 MBMW 장비로 패턴을 그려 생산한다. 블랭크마스크는 일본 신에츠⋅호야⋅아사히글래스가 과점하고 있으며, 여기에 패턴을 떠 포토마스크화 하는 작업은 반도체 회사가 직접
엔비디아가 ‘GTC2024’에서 공개한 새로운 GPU(그래픽처리장치) ‘B200’은 이전 세대를 압도하는 성능 외에 제조 방식 측면에서 큰 변곡점을 만들었다. 엔비디아 제품으로는 처음 칩렛 구조를 도입함으로써 더 이상 다이 사이즈를 늘리지 않고도 전체 시스템 성능을 높일 수 있게 됐다. 여기에 각 칩렛을 연결하는 기술 중 ‘가성비’ 공정으로 꼽히는 TSMC의 ‘CoWoS-L’에도 관심이 집중됐다.
-- AI 스마트폰, 에지 컴퓨팅 및 자동차 분야의 응용 대상 -- 최신 고속 3D TLC 및 QLC NAND를 지원하는 UFS 3.1 컨트롤러 2세대 기술도 출시 2024년 3월 13일, 타이페이 및 캘리포니아 밀피타스: 솔리드 스테이트 스토리지(SSD) 장치용 NAND 플래시 컨트롤러 설계 및 마케팅 분야의 글로벌 선도 기업인 Silicon Motion Technology Corporation(나스닥 GS: SIMO) ("Silicon Motion")은 오늘 UFS 4.0 컨트롤러 SM2756을 출시했습니다. 이 솔루션은 오...
SK하이닉스가 중국 우시 공장에서 생산하는 D램 세대 전환을 놓고 웨이퍼를 항공 이송하는 방안을 최종 선택했다. 당초 ArF-i(불화아르곤 이머전) 노광을 여러번 반복해 EUV(극자외선) 급의 패턴을 구현하는 방안도 고려됐으나 효율성 측면에서 우시와 경기도 이천 공장을 오가는 게 낫다고 판단한 것으로 보인다. 다만 항공 이송 방법도 향후 EUV 레이어 수가 늘어날수록 효율성이 떨어지는 탓에 우시 공장 문제는 당분간 SK하이닉스의 고민거리로 남을 전망이다.
일본 반도체 장비업체 도쿄일렉트론(TEL)이 사상 처음 시가총액에서 소니를 제치고 일본 증시 3위에 올라섰다. 최근 AI(인공지능) 서비스 확대에 따라 반도체 수요가 증가하고, 뜸했던 자국 내 반도체 팹 건설 수요도 폭발할 것으로 예견된 덕분이다. 22일 마감된 도쿄 증시에서 TEL의 시가총액은 이전 거래일 대비 6% 오른 17조2500억엔(약 152조4500억원)으로 마감됐다. 전날 미국 GPU(그래픽처리장치) 공급사 엔비디아가 시장 예상을 뛰어 넘는 분기 매출을 발표하면서 관련 종목으로 분류된 TEL 주가도 크게 오른 것으로 풀
메모리 업계가 차세대 D램 구조로 상정하는 3D D램 양산을 위해 기존 대비 더 두꺼운 ArF(불화아르곤) PR(포토레지스트, 감광재) 개발이 선행되어야 할 것으로 보인다. 3D D램은 3D 낸드플래시와 마찬가지로 셀이 수직방향으로 적층된 구조로, 단수가 높아질수록 계단식으로 셀을 깊이 깎아내야 하기 때문이다.삼성전자는 지난 2013년 3D 낸드플래시 양산 과정에서 동진쎄미켐을 두꺼운(Thick) KrF(불화크립톤) PR 공급사로 선정했으며, 현재까지 이 회사에서만 관련 재료를 공급받고 있다.
IBM의 2나노미터 기술 설계를 위한 EUV 포토마스크 개발을 진전시키다 도쿄, 2024년 2월 7일 /PRNewswire/ -- 세계 최고의 반도체 포토마스크 공급업체인 Toppan Photomask는 극 자외선 (EUV) 리소그래피를 활용한 2나노미터 (nm) 비메모리 반도체에 관한 IBM과의 공동 연구 및 개발 협약을 체결했다고 발표했습니다. 이 협약에는 차세대 반도체에 대한 High NA EUV 포토마스크 개발 능력도 포함되어 있습니다. EUV 포토마스크 © Toppan Photomask Co., Ltd. 이...
D램 공정 미세화가 한계가 뚜렷해지면서 낸드플래시 처럼 셀을 수직으로 세우는 시점이 앞당겨지고 있다. 지금까지는 EUV(극자외선) 노광 도입을 통해 미세화 허들을 넘어왔지만 이 역시 10나노급 6세대(D1c)에 이르러 더 이상 진전이 어려울 것으로 전망된다.정부 지원을 등에 엎고 D램 시장 진입을 추진하고 있는 CXMT(창신메모리)가 10나노급 D램 여러 단계를 뛰어 넘고 3D D램으로 직행할 가능성도 점쳐진다.
삼성전자는 지난해 4분기 연결 기준으로 매출 67.78조원, 영업이익 2.82조원을 각각 기록했다고 31일 밝혔다. 2023년 연간으로는 매출 258.94조원, 영업이익 6.57조원을 기록했다.4분기는 연말 성수기 경쟁이 심화되면서 스마트폰 출하량은 감소했지만 메모리 가격 상승과 디스플레이 프리미엄 제품 판매 호조로 전사 매출은 전분기 대비 0.6% 증가한 67.78조원을 달성했다.영업이익의 경우 세트 제품 경쟁이 심화되고 플래그십 스마트폰 출시 효과가 감소한 가운데 메모리 실적이 큰 폭으로 개선되고 디스플레이 호실적이 지속돼 전분
어플라이드 머티어리얼즈(대표 박광선, www.appliedmaterials.com/ko)는 오는 31일부터 2월 2일까지 서울 코엑스에서 열리는 국내 최대 반도체 산업 전시회 ‘세미콘 코리아 2024’에 참가한다.이번 행사에서 어플라이드 전문가들은 반도체 업계 최신 기술 솔루션에 대해 발표한다. 또한 반도체 업계 여성 참여도를 확대하기 위해 마련된 ‘우먼 인 테크놀로지(Women-in-Technology)’ 세미나를 후원하고 연사로 참여한다.1월 31일과 2월 1일 양일에 걸쳐 진행되는 SEMI 기술 심포지엄(STS)에 어플라이드
[편집자주] 첨단 제조업계 종사자들은 어떤 콘텐츠에 주목할까요? 첨단산업 전문매체 KIPOST 뉴스레터 회원들이 한주간 눈여겨 보셨던 기사를 순서대로 정리했습니다. KIPOST는 국내 4대 제조업 그룹(삼성, SK, 현대차, LG) 계열사 재직자를 비롯해 IT, 자동차 등 대한민국을 이끄는 산업계, 금융계, 정부 유관 기관과 학계 등 다양한 분야에서 보고 계십니다. 1. BOE의 8.6세대 증착장비 선정을 바라보는 세 개의 시선2. [한눈에 보는 Weekly 기업 소식] 中반도체장비 회사 나우라, 매출 50% 급증…"美제재 반사이익
SK하이닉스가 10나노급 6세대 D램(D1c) 개발 펫네임을 ‘스피카(Spica)’로 정했다. 스피카는 10나노급에서는 마지막으로 양산될 세대로 전망되며, 최근 초기 양산을 시작한 5세대(D1b) 대비 EUV(극자외선) 레이어 수도 늘어날 것으로 예상된다.
SK하이닉스가 올해 최소 6대 이상의 EUV(극자외선) 노광장비를 도입한다. 최선단 D램인 10나노급 5세대(D1b, 루시)들어 EUV 적용 레이어가 늘면서 관련 공정 수요가 증가할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 지난해 설비투자 규모를 크게 줄이면서 EUV 도입 목표를 절반 이하로 크게 축소한 바 있다.
미국 OLED 재료업체 UDC가 개발 중인 청색 인광 재료는 인광 도판트에 TADF(열활성화지연형광) 도판트가 섞인 ‘투 도판트' 시스템인 것으로 파악됐다. 삼성디스플레이는 UDC의 청색 인광 재료를 내년 하반기쯤 양산 도입할 예정인데, 기존 인광 도판트만으로는 수명⋅효율 측면에서 불리하다고 판단한 것으로 보인다.
[편집자주] 첨단 제조업계 종사자들은 어떤 콘텐츠에 주목할까요? 첨단산업 전문매체 KIPOST 뉴스레터 회원들이 한주간 눈여겨 보셨던 기사를 순서대로 정리했습니다. KIPOST는 국내 4대 제조업 그룹(삼성, SK, 현대차, LG) 계열사 재직자를 비롯해 IT, 자동차 등 대한민국을 이끄는 산업계, 금융계, 정부 유관 기관과 학계 등 다양한 분야에서 보고 계십니다. 1. 풀옥사이드 VS. LTPO, BOE 선택에 업계 관심 집중2. [한눈에 보는 Weekly 기업 소식] ASML의 첫 '하이 NA EUV' 노광장비 인텔 품으로3.
중국 전자소재 전문업체 딩룽홀딩스는 반도체 노광공정용 포토레지스트 양산라인을 신설한다고 26일 밝혔다. 후베이성 첸장에 들어설 신규 생산라인은 연산 300톤의 ArF(불화아르곤) 및 KrF(불화크립톤) 공정용 포토레지스트를 생산한다. ArF⋅KrF는 모두 DUV(심자외선) 노광에 속하는 기술로, EUV(극자외선)가 양산라인에 적용되기 전까지 가장 최선단 라인에서 활용됐다. ArF는 이머전 공정까지 혼용할 경우, 최저 14nm(나노미터) 선폭의 반도체를 만들 수 있다. KrF는 ArF 대비 감도는 떨어지지만 3D 낸드플래시 생산라인에
숨가쁘게 변화하는 산업 환경에서 매주 기업들 소식이 쏟아져 나옵니다. KIPOST는 다양한 전자 제조 관련 기업들의 사업 전략과 수행 실적을 엿볼 수 있는 정보들을 일주일간 한 데 모아 제공합니다.
반도체 업계가 차세대 노광기술 핵심으로 꼽고 있는 ‘하이 NA EUV’ 설비가 높은 가격 대비 생산성이 낮은 탓에 실제 양산 라인에서 도입되는 속도가 더딜 것이란 전망이 나왔다. 하이 NA EUV는 극자외선 빛의 집광능력을 나타내는 렌즈 NA(개구수)가 기존 0.33 대비 0.55로 높아진 신규 설비다. TSMC⋅인텔, 삼성전자 파운드리 사업부는 물론 D램 업계도 일반 EUV 다음 솔루션으로 하이 NA EUV 설비 도입을 검토하고 있다.
듀폰이 최근 삼성전자 인재교육원 UniverSE에서 진행된 M-day(Material-day)에서 ESG(환경·사회·지배구조) 부문 베스트 파트너 어워즈를 수상했다고 19일 밝혔다. 삼성전자 DS부문 소재기술팀 주관으로 개최된 M-day는 반도체 소재 파트너사를 초청해 지난 1년간 우수한 성과를 거둔 파트너사를 시상하고, 삼성의 소재 기술과 품질 경영 방향에 대한 이해도를 높일 수 있는 교류의 기회를 만들기 위해 마련됐다.듀폰이 수상한 ESG 베스트 파트너 어워즈는 한해 동안 삼성전자의 친환경 반도체 소재 기술 개발에 협력하며 지속
◇ UNIST, 붕소-질소 결합한 유기 반도체 재료 합성 성공UNIST(울산과학기술원)는 화학과 박영석 교수팀이 연속적인 붕소-질소(BN) 결합을 통해 새로운 안트라센 유도체인 ‘BNBN 안트라센’ 분자를 합성했다고 14일 밝혔다. 또한 붕소-산소(BO) 결합과 붕소-질소(BN) 결합이 연속적으로 연결돼있는 ‘BOBN 안트라센’ 분자를 유기 발광 다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED)의 청색 호스트로 사용했다. 개발된 안트라센 분자는 낮은 전압에서도 구동 가능해 유기 반도체의 재료로서 가능성을 확인