자동차용 반도체 업계 3위인 일본 르네사스가 GaN(질화갈륨, 갈륨나이트라이드) 전력반도체 업체 트랜스폼을 인수했다. 르네사스는 미국 트랜스폼 지분 100%를 3억3900만달러(약 4400억원)에 인수한다고 11일 밝혔다. 인수 작업은 일본⋅미국 당국 승인을 거쳐 오는 하반기 완료될 예정이다. 트랜스폼은 전기모터⋅충전기 등에 쓰이는 전력반도체 생산에 특화된 기업이다. SiC(탄화규소, 실리콘카바이드)와 함께 와이드밴드갭 소재로 꼽히는 GaN 반도체 경쟁력이 높다. 와이드밴드갭 반도체는 기존 실리콘 웨이퍼 기반 반도체 대비 내열성이
한화그룹 NPU(신경망처리장치) 전문 팹리스 뉴블라가 삼성전자 파운드리를 통해 4nm(나노미터) 칩 생산에 나선다. 이를 위해 삼성전자 DSP(디자인솔루션파트너) 소속 디자인하우스 중 한 곳을 설계 서비스 파트너로 지정할 계획이다. 한화그룹은 뉴블라 외에 한화테크윈에서 분사한 비전넥스트도 자체 칩 생산을 추진하는 등 반도체 사업에 힘을 싣고 있다.
“경기도 부천 S5 라인에서 이미 8인치 엔지니어링 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼를 생산하고 있습니다.” 하산 엘 코우리 온세미 CEO(최고경영자)는 24일 경기도 부천사업장에서 열린 S5 라인 준공식에서 2년 내 SiC 8인치 공정 전환을 이루겠다고 밝혔다. 지난달 30일 준공한 S5는 온세미가 1조4000억원을 투자한 SiC 반도체 생산시설이다. SiC 기판 위에 단결정층을 성장시키는 에피웨이퍼 공정과 실제 반도체를 만드는 팹 공정으로 이뤄져 있다. 온세미는 이번에 S5 준공으로 1단계 양산에 들어갔는데, S5를 풀가동할 경우
숨가쁘게 변화하는 산업 환경에서 매주 기업들 소식이 쏟아져 나옵니다. KIPOST는 다양한 전자 제조 관련 기업들의 사업 전략과 수행 실적을 엿볼 수 있는 정보들을 일주일간 한 데 모아 제공합니다.
삼성전자가 한때 ‘신수종 사업’으로 육성했던 LED(발광다이오드) 사업을 놓고 고심을 거듭하고 있다. 독립법인으로 나와있던 삼성LED를 흡수해 삼성전자 내부로 끌어들인지 10년이 넘었지만 좀처럼 자생력을 갖추지 못하고 있어서다. 삼성전자 VD(영상디스플레이) 사업부가 TV 생산에 사용하는 LED 모듈 수급 방안만 결정되면, 향후 LED 사업 존속 여부를 결정할 것이란 전망이 나온다.
중국 전기차 브랜드 리오토가 자율주행칩 설계 회사를 설립했다고 기업 정보 플랫폼 톈옌차(Tianyancha)가 9일 밝혔다. 신설 회사 이름은 장쑤창샹파워테크놀러지(Jiangsu Changxiang Power Technology, 常想动力)로, 자본금은 2억위안(약 380억원)이다. 회사는 장쑤성에 위치하며, 리오토 계열사인 처허지아(Chehejia)가 100% 지분을 보유하게 된다. 처허지아는 지난 3월에도 싼안반도체와 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 반도체 전문업체를 합작 설립했다. SiC는 기존 Si(실리콘) 기반 반도체 내
일본 반도체 제조사들이 전기차용 전력반도체 수요에 대응하기 위해 생산능력을 확장한다고 대만 디지타임스가 28일 보도했다. 도시바는 전기차⋅가전용 전력반도체 생산능력을 늘릴 목적으로 일본 서부 효고현 히메지에 후공정 라인을 건설한다. 새 공장 건설은 2024년 시작되며, 상업생산은 오는 2025년 중에 돌입한다. 이를 통해 도시바의 관련 생산능력은 2022년 대비 두 배 수준으로 늘어날 전망이다. 앞서 올해 초 도시바는 300㎜ 팹을 이시가와현에 신설한다고 밝힌 바 있다. 이 공장의 상업생산 시점은 회계년도 2024년(2024년 4월
중국 정부가 새로 만들어질 반도체 보조금 지급 대상에서 화합물 반도체 제조사는 제외하기로 했다고 대만 디지타임스가 27일 보도했다. 중국은 미국 상무부의 반도체 산업 규제를 극복하기 위해 1조위안(182조7000억원) 규모의 보조금을 자국 반도체 산업에 지급할 계획이다. 그러나 이 대상에 화합물 반도체는 빠질 거란 전망이다.화합물 반도체는 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 및 GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨) 기반 웨이퍼로 생산한 제품을 뜻한다. 일반 실리콘 기반 반도체와 비교하면 내열성이 강하고 고주파⋅고전압에서 사용이 가능하다
지금의 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 반도체 산업의 서플라이체인은 다소 기형적이다. 울프스피드⋅코히어런트⋅SiCrystal 3개 회사가 글로벌 SiC 웨이퍼 공급량의 80% 이상을 담당하면서, 자체적으로 에피웨이퍼나 반도체 소자까지 공급한다. SiC 웨이퍼를 가장 많이 매입하는 인피니언⋅ST마이크로⋅온세미 입장에서 울프스피드⋅코히어런트⋅SiCrystal은 협력사면서 경쟁사다. SiC 반도체 회사들이 쎄닉 같은, 자신들과 경쟁하지 않는 웨이퍼 전문 회사를 기다리는 이유다.
나소소재 전문업체 아모그린텍이 전력반도체 접합용 은 페이스트 필름을 개발했다. 전력반도체는 동작 특성상 고열을 방출하기에 기판과의 접합소재 역시 열에 대한 내구성이 높아야 한다. 특히 기존 납을 기반으로 한 접합 소재는 ESG(환경⋅사회⋅지배구조) 기준 강화 흐름에 따라 시장에서 입지가 좁아지고 있다.
그동안 6인치 공정에 머물렀던 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 반도체가 이르면 2025년부터 8인치로 업그레이드된다. 잉곳-웨이퍼-팹으로 이어지는 제조사들이 저마다 양산 채비에 나서면서 SiC 생태계가 8인치로 집중될 전망이다. 웨이퍼 직경이 넓어지면 한 번에 생산할 수 있는 칩 수가 늘면서 제조 단가가 낮아지고, 시장을 확대할 수 있다.
“최근 서버⋅전기차⋅가전제품 등에서 전력 밀도를 높이려는 업계 요구가 커지면서 GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨) 반도체 수요가 개화하고 있습니다.”신주용 텍사스인스트루먼츠(TI) 이사는 20일 서울 삼성동에서 열린 기자간담회에서 GaN을 적용한 2세대 FET(전계효과트랜지스터)를 선보였다. 실리콘 기판을 사용하는 반도체와 달리, 화합물 소재를 활용한 반도체는 고온⋅고전압⋅고주파 환경에 대한 내구성이 강하다. SiC(실리콘카바이드, 탄화규소)⋅GaN을 화합물 반도체 기판으로 분류하는데 통상 GaN 반도체를 SiC 대비 더욱 가혹한
NXP반도체는 미국 애리조나주 챈들러에 5세대 이동통신(5G) 무선통신(RF) 전력증폭기(PA)용 갈륨나이트라이드(GaN) 생산라인(Fab)을 준공했다고 30일 밝혔다.이 공장은 6인치(150㎜) 웨이퍼 생산라인으로, 미국 안에 있는 GaN 기반 RF PA 생산 공장 중 가장 최첨단 시설이다.커트 시버스(Kurt Sievers) NXP반도체 최고경영자(CEO)는 기조연설에서 "오늘은 NXP에 중대한 이정표가 되는 날”이라며 “애리조나에 이렇게 훌륭한 시설을 구축하고 핵심 인재를 활용, NXP가 차세대 5G 기지국 인프라를 견인하는
아이브이웍스(대표 노영균)는 미국 반도체 소재 업체 인텔리에피(IntelliEPI)와 분자선증착기(MBE)를 이용한 갈륨나이트라이드(GaN) 에피웨이퍼 대량생산 및 마케팅 협력을 위한 파트너십을 체결했다고 18일 밝혔다.아이브이웍스는 딥러닝 기반의 인공지능(AI) 기술을 GaN 에피웨이퍼 생산에 적용한 업체다. 5G 통신 및 전력 산업용 GaN 에피웨이퍼를 공급하며, 현재 3대의 양산 MBE 시스템으로 4인치~8인치 GaN 에피웨이퍼를 생산하고 있다. IntelliEPI는 대량 양산용 MBE를 이용해 비소(As), 인(P), 안티모
전력 반도체는 외부에서 전력을 공급받아 이를 변환해 다른 부품에 전력을 공급하는 일을 한다. 전력 반도체를 볼 때 가장 먼저 보는 건 효율성과 전력소모량이다. 상시 켜져있기 때문에 전력 반도체의 전력소모량이 높을수록 배터리 수명이 짧아지고, 변환 효율이 낮을수록 소모하는 전력량도 증가하기 때문이다. 절연과 전자파잡음(EMI) 특성도 좋아야한다.텍사스인스트루먼트(TI, 지사장 박중서)는 전력 경로 관리 기능을 통합, 전력 밀도를 극대화하고 효율성을 최대 97%까지 구현한 'BQ25790' 및 'BQ25792
전기차와 5세대 이동통신(5G) 등장에 힘입어 와이드밴드갭(WBG) 반도체 시장이 급격히 커지고 있다. 상대적으로 기술 발전이 빨랐던 실리콘카바이드(SiC)는 벌써 6인치 중심에서 8인치로 넘어가는 전환기를 맞았다.기술적 한계 탓에 좀처럼 커지지 못했던 갈륨나이트라이드(GaN) 역시 빛을 발하기 시작했다. 전력, 무선통신(RF) 등 다양한 분야에서 수요가 늘어나면서 시장 선점을 위해 여러 업체가 출사표를 던지고 있다. GaN은 왜 SiC만큼 주목받지 못했나GaN은 실리콘(Si)보다 전력 효율이 높고 신호 변환(Switching) 속
사난인터그레이티드서킷(Sanan IC)은 650·1200V 실리콘카바이드(SiC) 기기와 650V 갈륨나이트라이드(GaN) 전력 고전자이동도트랜지스터(HEMT)에 활용되는 자사의 와이드 밴드갭(WBG) 전력전자 파운드리 서비스를 본격화한다고 22일 밝혔다.상위 스마트폰 제조사들이 GaN 솔루션을 채택하기 시작했고 빅데이터, 전기차(EV) 등 고전압 솔루션에는 SiC가 활용된다. 욜디벨롭먼트(Yole Dévelopement)에 따르면 전력 GaN 시장은 2017년에서 2023년까지 연평균 55%의 성장률을 기록할 것으로 예상된다. 지
5세대(5G) 이동통신과 자동차 전장화가 맞물리면서 와이드밴드갭(WBG) 반도체 시장이 급격히 성장하고 있다. 이에 실리콘(Si) 기반 반도체가 그랬듯, 이 시장도 외주 생산(Foundry) 업체가 하나 둘 등장하고 있다. 하지만 공급망(SCM)과 산업 성격상 파운드리 업체가 성공하기는 쉽지 않다. 파운드리 업체의 등장에도 종합반도체업체(IDM)들이 동요하지 않는 건 이 때문이다. 커지는 시장, 속속 등장하는 WBG 파운드리 업체들반도체 업계에서 WBG으로 분류되는 소재는 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)이다. 기존 반도체 재료
마우저일렉트로닉스는 코보(Qorvo)의 100W 전력 증폭기(PA) 'QPA3069'를 유통한다고 22일 밝혔다.이 제품은 2.7~3.5㎓ 무선주파수(RF) 기반의 회로를 설계할 때 고출력 밀도 및 전력 부가 효율을 제공한다. 국방 및 항공 우주 시스템용으로 설계됐고 특히 S밴드 레이더에 적합하다. 코보의 0.25㎛ 갈륨나이트라이드 온 실리콘카바이드(GaN-on-SiC) 공정에서 생산돼 7.0×7.0×0.85㎜의 소형 패키지에서 뛰어난 성능을 제공한다.포화 출력 전력은 58dBm 이상, 대신호 이득은 25dB 이상이다
인공지능(AI), 5세대(5G) 이동통신, 전기차(EV) 등 차세대 기술에는 공통점이 있다. 이전보다 컴퓨트 성능이 많이 필요하다는 점이다. 이에 발맞춰 프로세서의 성능도 점차 개선되고 있지만, 이것만으론 부족하다. 아무리 반도체 제조 공정이 발전한다해도 트랜지스터 밀도가 높아지고 부품 수가 많아지면 그만큼 많은 전력이 필요하다.하지만 아직도 전력 부품을 선택할 때 엔지니어들이 생각하는 가장 중요한 요소는 가격이다. 성능도 좋고 크기도 작은 부품을 싼 가격에 주면 좋지만, 현실적으로 이런 업체를 찾긴 힘들다. 전력 솔루션 업체 바이