숨가쁘게 변화하는 산업 환경에서 매주 기업들 소식이 쏟아져 나옵니다. KIPOST는 다양한 전자 제조 관련 기업들의 사업 전략과 수행 실적을 엿볼 수 있는 정보들을 일주일간 한 데 모아 제공합니다.
자동차용 반도체 업계 3위인 일본 르네사스가 GaN(질화갈륨, 갈륨나이트라이드) 전력반도체 업체 트랜스폼을 인수했다. 르네사스는 미국 트랜스폼 지분 100%를 3억3900만달러(약 4400억원)에 인수한다고 11일 밝혔다. 인수 작업은 일본⋅미국 당국 승인을 거쳐 오는 하반기 완료될 예정이다. 트랜스폼은 전기모터⋅충전기 등에 쓰이는 전력반도체 생산에 특화된 기업이다. SiC(탄화규소, 실리콘카바이드)와 함께 와이드밴드갭 소재로 꼽히는 GaN 반도체 경쟁력이 높다. 와이드밴드갭 반도체는 기존 실리콘 웨이퍼 기반 반도체 대비 내열성이
일본 아사히카세이가 자회사 마이크로디바이스를 통해 차량용 유아 감지 시스템 칩(모델명 AK5818)을 개발했다고 닛케이아시아가 7일 보도했다. AK5818은 밀리미터파를 이용해 차량 내부에 어린 아이나 애완동물이 남겨져 있는지를 감지해준다. 무더운 여름에 운전자가 유아를 차량에 남겨 둔 채 내렸다가 사망 사고가 발생하는 걸 방지할 수 있다. 마이크로디바이스는 오는 10월부터 AK5818을 양산할 예정이다. 유럽은 당장 내년부터 양산차에 유아 감지 시스템을 장착하도록 의무화하기로 했다. 일본은 버스 등 대중교통이나 어린이들이 이용하는
마우저 일렉트로닉스(Mouser Electronics)는 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)의 BGT60ATR24C XENSIV™ 60GHz 레이더 MMIC(monolithic microwave IC)를 공급한다고 30일 밝혔다.초광대역 FMCW(Frequency-Modulated Continuous-Wave) 동작을 이용하는 BGT60ATR24C는 미세한 움직임까지 시각적으로 감지할 수 있어 어린이 감지, 운전자 모니터링 및 승객유무 감지와 같은 다양한 수동적 안전 애플리케이션을 지원할 수 있다. 초단거
차세대 전력반도체용 기판 소재로 떠오른 SiC(실리콘카바이드) 분야에서 중국의 영향력이 커지고 있다.대만 디지타임스는 내년 기준 SiC 웨이퍼 출하량 점유율에서 중국 상위권 기업들이 세계 시장의 절반 이상을 차지할 전망이라고 23일 보도했다. SiC 서플라이체인은 SiC 잉곳(기둥 형태의 덩어리)을 만들어 6인치, 혹은 8인치 원형으로 자른 웨이퍼부터, 에피웨이퍼-팹-패키지-모듈로 이어진다. 현재는 잉곳⋅웨이퍼 자체의 생산부터 원활하지 않다. 이 때문에 SiC 6인치 웨이퍼 1장에 100만원을 호가한다. 중국 내에서 SiC 웨이퍼를
“경기도 부천 S5 라인에서 이미 8인치 엔지니어링 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼를 생산하고 있습니다.” 하산 엘 코우리 온세미 CEO(최고경영자)는 24일 경기도 부천사업장에서 열린 S5 라인 준공식에서 2년 내 SiC 8인치 공정 전환을 이루겠다고 밝혔다. 지난달 30일 준공한 S5는 온세미가 1조4000억원을 투자한 SiC 반도체 생산시설이다. SiC 기판 위에 단결정층을 성장시키는 에피웨이퍼 공정과 실제 반도체를 만드는 팹 공정으로 이뤄져 있다. 온세미는 이번에 S5 준공으로 1단계 양산에 들어갔는데, S5를 풀가동할 경우
세종공업의 자동차 전장 전문 자회사 아센텍(대표 박상길)이 차량용 및 전력용 시스템 반도체 분야 글로벌 1위 기업 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)와 휠스피드센서 애플리케이션 관련 5년 장기 가격책정계약(Pricing agreement) 및 변속기센서 애플리케이션 관련 3년 가격책정계약을 체결했다고 23일 밝혔다.인피니언 AP(아시아·태평양) 본사가 있는 싱가포르에서 진행된 이번 계약 행사에는 아센텍 박상길 대표와 인피니언 AP의 케네스 림(Kenneth Lim) 오토모티브 사업부 선임 부사장 등 핵심 관계자들이 참석했다. 아센
세계반도체장비재료협회(SEMI)는 최신 발표를 통해 글로벌 200mm 팹 생산능력이 2023년부터 2026년까지 14% 증가하면서 월간 웨이퍼 770만장으로 최고 기록을 경신할 것으로 전망된다고 22일 밝혔다. 소비자 가전, 자동차, 산업 분야에 필수적으로 사용되는 전력 및 컴파운드 반도체의 수요 증가가 200mm 팹 생산능력의 성장을 견인하는 주요 요인으로 꼽혔다. 특히 전기차용 파워트레인의 개발과 전기차의 보급이 가속화되면서 전 세계 200mm 웨이퍼 생산능력 증가를 더욱 촉진할 것으로 예상된다.SEMI의 CEO인 아짓 마노차는
중국 파운드리 업체 SMIC가 자회사를 통해 메모리 반도체 사업 진출을 타진하고 있다. 시스템 반도체 설계에서 세계 최고 역량을 보유한 중국은 메모리 분야 만큼은 여전히 불모지에 가깝다. 앞서도 중국 내 메모리 자립 시도는 많았으나, 이번에는 최근 7nm(나노미터) 칩 양산으로 제조 기술을 검증받은 SMIC라는 점에서 업계가 주목하고 있다.
중국 정부가 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 잉곳⋅웨이퍼 생산업체에 대한 보조금을 보수적으로 개편하면서 업체간 양극화가 발생하고 있다고 대만 디지타임스가 11일 보도했다. SiC 기반 전력반도체는 기존 Si(실리콘, 규소) 기반 제품 대비 내열성이 높고 고주파 환경에서도 구동할 수 있다. 중국 정부는 SiC 산업 육성을 위해 10년 전부터 다수 업체에 보조금을 살포했으나, 최근 경쟁력 없는 업체가 난립했다고 판단해 보조금을 보수적으로 집행하고 있다. 디지타임스는 보조금을 수령한 수십개 회사 중, 실제 SiC 결정성장 기술을 보유한
스미토모전기공업이 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 웨이퍼 생산능력 증대를 위해 300억엔(약 2700억원)을 투자한다고 닛케이아시아가 27일 보도했다. 투자금액은 기존 SiC 웨이퍼 생산라인인 효고현 공장 확장과 도야마현 신규 공장 건설에 사용된다. 도야마현 공장은 오는 2027년 양산 가동되며, 투자 종료시 연산 12만장의 SiC 에피웨이퍼(6인치 기준) 생산능력을 갖게 된다. SiC 서플라이체인은 원재료인 잉곳⋅실리더부터 베어웨이퍼-에피웨이퍼-전력반도체 업체로까지 이어진다. 이 중에 스미토모전기공업은 에피웨이퍼부터 전력반도체까
내년부터 ZCU(Zone Control Unit) 개념을 적용한 자동차가 양산된다. ZCU는 자동차 동작을 컨트롤하는 반도체들을 기능별로 묶은 DCU(Domain Control Unit) 개념 대비 내부 구조가 간단하다. 소수의 반도체가 여러 기능을 관장할 수 있어 시스템을 업그레이드하는데 따르는 시간과 비용이 줄고, 전장 부품의 무게도 절감할 수 있다.
자동차용 반도체 업체 일본 르네사스가 오는 2025년부터 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 기반 전력반도체를 양산한다고 19일 밝혔다. 회사는 이를 위해 도쿄 북서쪽 군마현 다카사키 공장에 SiC 생산시설을 투자할 계획이다. 다카사키 공장에서는 기존 실리콘 기반 전력반도체가 생산되고 있었으나, 추가 투자를 통해 SiC 생산시설로 업그레이드할 계획이다. 아직 구체적인 투자 규모나 시기는 확정되지 않았다. SiC 반도체는 실리콘 기반 반도체 대비 고온⋅고압⋅고주파수 환경에서의 내구성이 강하다. 전력반도체를 SiC 기반으로 만들면 방열
전기차 플랫폼 사업에 집중하고 있는 폭스콘이 전기차용 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 반도체를 직접 조달할 전망이라고 닛케이아시아가 13일 보도했다. SiC는 전기차 내에서 전력반도체를 생산하는데 쓰이는 기판이다. 내열성이 높고 전력손실이 적어 파워트레인(구동계)을 작고 효율적으로 구성할 수 있다. 절감된 공간은 배터리로 채우거나 자동차 실내 공간으로 활용할 수 있다. 다만 SiC는 세계적으로 독일 인피니언, 스위스 ST마이크로 등이 과점한 시장이다. SiC 원재료인 잉곳⋅웨이퍼는 미국 울프스피드⋅코히어런트가 과점하고 있다. 지난
중국 전기차 브랜드 리오토가 자율주행칩 설계 회사를 설립했다고 기업 정보 플랫폼 톈옌차(Tianyancha)가 9일 밝혔다. 신설 회사 이름은 장쑤창샹파워테크놀러지(Jiangsu Changxiang Power Technology, 常想动力)로, 자본금은 2억위안(약 380억원)이다. 회사는 장쑤성에 위치하며, 리오토 계열사인 처허지아(Chehejia)가 100% 지분을 보유하게 된다. 처허지아는 지난 3월에도 싼안반도체와 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 반도체 전문업체를 합작 설립했다. SiC는 기존 Si(실리콘) 기반 반도체 내