삼성전자가 20일 경기도 수원시 수원컨벤션센터에서 주주, 기관투자자, 경영진이 참석한 가운데 제55기 정기 주주총회를 개최했다.한종희 대표이사 부회장은 의장 인사말을 통해 "지난해 경제 불확실성이 지속되고 반도체 산업의 업황 둔화로 경영 여건이 어려웠지만, 지속성장을 위한 연구개발과 선제적 시설투자를 강화하는 등 제품 경쟁력과 기술 리더십 제고를 위한 노력을 멈추지 않았다"고 밝혔다.또 "이러한 노력 속에 2023년 삼성전자의 브랜드 가치는 인터브랜드 평가 기준 914억 달러로 글로벌 톱5의 위상을 유지했다"고 설명했다.한 부회장은
마이크로컨트롤러 전문업체인 마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표: 한병돈)는 개발자가 실리콘카바이드(SiC) 솔루션 개발 프로세스를 단축할 수 있는 3.3kV XIFM 플러그 앤 플레이 mSiC™ 게이트 드라이버를 출시했다고 23일 밝혔다.특허 받은 어그멘티드 스위칭(Augmented Switching™) 기술을 탑재한 이 게이트 드라이버는 즉시 동작할 수 있도록 다양한 모듈 설정을 사전에 구성해 설계 및 평가 시간을 크게 단축시킨다.이 플러그 앤 플레이 솔루션은 출시 주기를 단축하기 위해 게이트 드라이버 회로의 설계, 테스
숨가쁘게 변화하는 산업 환경에서 매주 기업들 소식이 쏟아져 나옵니다. KIPOST는 다양한 전자 제조 관련 기업들의 사업 전략과 수행 실적을 엿볼 수 있는 정보들을 일주일간 한 데 모아 제공합니다.
자동차용 반도체 업계 3위인 일본 르네사스가 GaN(질화갈륨, 갈륨나이트라이드) 전력반도체 업체 트랜스폼을 인수했다. 르네사스는 미국 트랜스폼 지분 100%를 3억3900만달러(약 4400억원)에 인수한다고 11일 밝혔다. 인수 작업은 일본⋅미국 당국 승인을 거쳐 오는 하반기 완료될 예정이다. 트랜스폼은 전기모터⋅충전기 등에 쓰이는 전력반도체 생산에 특화된 기업이다. SiC(탄화규소, 실리콘카바이드)와 함께 와이드밴드갭 소재로 꼽히는 GaN 반도체 경쟁력이 높다. 와이드밴드갭 반도체는 기존 실리콘 웨이퍼 기반 반도체 대비 내열성이
SKC(대표 박원철)가 반도체 소재사업 투자사 SK엔펄스의 파인세라믹스 사업을 국내 톱티어 사모펀드 운용사 한앤컴퍼니(한앤코)에 양도한다.SK엔펄스는 지난 30일 이사회를 열고 파인세라믹스 사업을 3,600억 원에 한앤코에 양도하기로 결정했다고 31일 밝혔다. 이사회 직후 양사는 이 같은 내용의 사업양수도 계약을 체결했다. SK엔펄스는 다음 달 중 임시주주총회 등 필요한 절차를 거쳐 내년 1월 거래를 마무리할 계획이다.파인세라믹스는 고순도의 무기 화합물을 통해 기존 세라믹 소재보다 전기적 특성과 내구성 등을 높인 소재를 일컫는다.
한화그룹 NPU(신경망처리장치) 전문 팹리스 뉴블라가 삼성전자 파운드리를 통해 4nm(나노미터) 칩 생산에 나선다. 이를 위해 삼성전자 DSP(디자인솔루션파트너) 소속 디자인하우스 중 한 곳을 설계 서비스 파트너로 지정할 계획이다. 한화그룹은 뉴블라 외에 한화테크윈에서 분사한 비전넥스트도 자체 칩 생산을 추진하는 등 반도체 사업에 힘을 싣고 있다.
차세대 전력반도체용 기판 소재로 떠오른 SiC(실리콘카바이드) 분야에서 중국의 영향력이 커지고 있다.대만 디지타임스는 내년 기준 SiC 웨이퍼 출하량 점유율에서 중국 상위권 기업들이 세계 시장의 절반 이상을 차지할 전망이라고 23일 보도했다. SiC 서플라이체인은 SiC 잉곳(기둥 형태의 덩어리)을 만들어 6인치, 혹은 8인치 원형으로 자른 웨이퍼부터, 에피웨이퍼-팹-패키지-모듈로 이어진다. 현재는 잉곳⋅웨이퍼 자체의 생산부터 원활하지 않다. 이 때문에 SiC 6인치 웨이퍼 1장에 100만원을 호가한다. 중국 내에서 SiC 웨이퍼를
“경기도 부천 S5 라인에서 이미 8인치 엔지니어링 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼를 생산하고 있습니다.” 하산 엘 코우리 온세미 CEO(최고경영자)는 24일 경기도 부천사업장에서 열린 S5 라인 준공식에서 2년 내 SiC 8인치 공정 전환을 이루겠다고 밝혔다. 지난달 30일 준공한 S5는 온세미가 1조4000억원을 투자한 SiC 반도체 생산시설이다. SiC 기판 위에 단결정층을 성장시키는 에피웨이퍼 공정과 실제 반도체를 만드는 팹 공정으로 이뤄져 있다. 온세미는 이번에 S5 준공으로 1단계 양산에 들어갔는데, S5를 풀가동할 경우
일본 자동차 부품업체 덴소와 미쓰비시전기가 미국 코히어런트의 SiC(실리콘카바이드) 사업부(옛 투식스)에 지분 투자한다. 극도로 공급이 제한된 SiC 웨이퍼 수급 안정을 도모하기 위해서다. 코히어런트는 덴소⋅미쓰비시전기가 각각 5얼달러(약 6700억원)씩을 투자해 SiC 사업부 지분 12.5%씩을 확보한다고 10일(현지시간) 밝혔다. 덴소⋅미쓰비시전기는 코히어런트가 생산하는 SiC 웨이퍼를 받아다가 SiC 기반 반도체를 생산하는 회사다. 이번 지분투자를 통해 SiC 웨이퍼 물량을 좀 더 안정적으로 공급받을 수 있을 것으로 기대된다.
삼성전자가 한때 ‘신수종 사업’으로 육성했던 LED(발광다이오드) 사업을 놓고 고심을 거듭하고 있다. 독립법인으로 나와있던 삼성LED를 흡수해 삼성전자 내부로 끌어들인지 10년이 넘었지만 좀처럼 자생력을 갖추지 못하고 있어서다. 삼성전자 VD(영상디스플레이) 사업부가 TV 생산에 사용하는 LED 모듈 수급 방안만 결정되면, 향후 LED 사업 존속 여부를 결정할 것이란 전망이 나온다.
중국 정부가 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 잉곳⋅웨이퍼 생산업체에 대한 보조금을 보수적으로 개편하면서 업체간 양극화가 발생하고 있다고 대만 디지타임스가 11일 보도했다. SiC 기반 전력반도체는 기존 Si(실리콘, 규소) 기반 제품 대비 내열성이 높고 고주파 환경에서도 구동할 수 있다. 중국 정부는 SiC 산업 육성을 위해 10년 전부터 다수 업체에 보조금을 살포했으나, 최근 경쟁력 없는 업체가 난립했다고 판단해 보조금을 보수적으로 집행하고 있다. 디지타임스는 보조금을 수령한 수십개 회사 중, 실제 SiC 결정성장 기술을 보유한
스미토모전기공업이 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 웨이퍼 생산능력 증대를 위해 300억엔(약 2700억원)을 투자한다고 닛케이아시아가 27일 보도했다. 투자금액은 기존 SiC 웨이퍼 생산라인인 효고현 공장 확장과 도야마현 신규 공장 건설에 사용된다. 도야마현 공장은 오는 2027년 양산 가동되며, 투자 종료시 연산 12만장의 SiC 에피웨이퍼(6인치 기준) 생산능력을 갖게 된다. SiC 서플라이체인은 원재료인 잉곳⋅실리더부터 베어웨이퍼-에피웨이퍼-전력반도체 업체로까지 이어진다. 이 중에 스미토모전기공업은 에피웨이퍼부터 전력반도체까
일본 전력반도체 업체 로옴이 JIP(일본산업파트너스)가 이끄는 도시바 인수 컨소시엄에 3000억엔(약 2조7000억원)을 투자한다고 닛케이아시아가 19일 보도했다. 로옴은 우선 JIP 컨소시엄의 도시바 인수 제안이 수용된다는 걸 전제로 1000억엔을 출자한다. 또 인수 과정에서 설립될 회사의 우선주를 2000억엔어치 사들이기로 했다. 로옴은 이날 성명서에서 “도시바의 민영화에 참여하고 문제 해결을 돕는 것이 목표”라고 설명했다.현재 도시바의 주요 사업은 철도시스템⋅발전시스템⋅하드디스크드라이브 등이다. 낸드플래시를 개발하고 처음 상용
비메모리 테스트 외주업체 에이엘티가 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 반도체용 ‘림컷’ 공정을 개발한다. 현재 매출 비중이 높은 CIS(이미지센서)⋅DDI(디스플레이구동칩) 시장을 넘어 낸드플래시 컨트롤러와 AP(애플리케이션프로세서)까지 대응 제품군을 늘린다는 목표다.이덕형 에이엘티 대표는 12일 서울 여의도에서 열린 IPO(기업공개) 기념 기자간담회를 통해 “제품군과 고객사 다변화를 더욱 적극적으로 추진하겠다”고 말했다. 에이엘티는 비메모리 반도체 테스트 회사로 잘 알려져 있지만, IGBT(절연게이트양극성트랜지스터) 테스트를 위한
전기차용 OBC(교류충전장치) 제조사 중국 샤인리테크놀로지스(이하 샤인리)는 미국 울프스피드와 전기차 충전 기술 분야에서 협력키로 했다고 26일 밝혔다. OBC는 일반 AC(교류전류)로 DC(직류전류) 시스템인 전기차를 충전할 수 있게 전류를 변환하는 장치다. 전기차가 항상 DC를 쓰는 충전소에서만 충전할 수는 없으므로, 전기차 내에는 OBC가 장착돼 있다. 가정용 AC 콘센트에 전기차를 연결하면 OBC를 거쳐 DC가 배터리에 충전된다. 샤인리와 울프스피드는 이미 지난 2013년부터 OBC 개발 분야에서 협력해왔다. 이를 통해 충전
자동차용 반도체 업체 일본 르네사스가 오는 2025년부터 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 기반 전력반도체를 양산한다고 19일 밝혔다. 회사는 이를 위해 도쿄 북서쪽 군마현 다카사키 공장에 SiC 생산시설을 투자할 계획이다. 다카사키 공장에서는 기존 실리콘 기반 전력반도체가 생산되고 있었으나, 추가 투자를 통해 SiC 생산시설로 업그레이드할 계획이다. 아직 구체적인 투자 규모나 시기는 확정되지 않았다. SiC 반도체는 실리콘 기반 반도체 대비 고온⋅고압⋅고주파수 환경에서의 내구성이 강하다. 전력반도체를 SiC 기반으로 만들면 방열
전기차 플랫폼 사업에 집중하고 있는 폭스콘이 전기차용 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 반도체를 직접 조달할 전망이라고 닛케이아시아가 13일 보도했다. SiC는 전기차 내에서 전력반도체를 생산하는데 쓰이는 기판이다. 내열성이 높고 전력손실이 적어 파워트레인(구동계)을 작고 효율적으로 구성할 수 있다. 절감된 공간은 배터리로 채우거나 자동차 실내 공간으로 활용할 수 있다. 다만 SiC는 세계적으로 독일 인피니언, 스위스 ST마이크로 등이 과점한 시장이다. SiC 원재료인 잉곳⋅웨이퍼는 미국 울프스피드⋅코히어런트가 과점하고 있다. 지난