메모리 반도체 투자를 확대하고 있는 중국의 D램 업체가 독자 기술력을 통해 최신 미세 공정으로 직행할 것이라는 전망이 나왔다.

12일 중화권 언론에 따르면 칭화유니 그룹의 메모리 반도체 개발을 이끌고 있는 고위 임원 까오치췐(高启全, 찰스 카우) 부총재가 디지타임스와 인터뷰에서 “중국 칭화유니그룹 산하의 창장메모리기술회사(YMTC)가 독자 D램 메모리 반도체 제조 기술을 개발하고 있으며 세계 선두 수준인 20·18나노미터(nm) 공정으로 직행할 수 있다”고 말했다.

YMTC는 칭화유니그룹이 XMC의 일부 지분을 인수해 세워진 회사로 대만 이노테라 수장 출신의 까오치췐이 합류해 글로벌 부총재를 맡고 있다.

▲YMTC 조감도. /YMTC 제공

까오치췐 부총재는 디지타임스와 인터뷰에서 “창장메모리는 독자적 메모리 반도체 기술력 개발에 사활을 걸고 있으며 우한에서 500명의 연구인력을 동원해 3D 낸드 플래시와 20·18nm 공정 D램 메모리 제조 기술을 연구 중”이라고 말했다. 후발 주자이지만 보급형 기술 대신 삼성전자와 SK하이닉스 급 첨단 미세 공정 수준으로 목표치를 높게 잡아 기술 격차를 가능한 단시간내 줄여보겠다는 전략인 것으로 해석된다.

까오치췐 부총재는 창장메모리가 마이크론과의 우호적인 협력관계도 지속하고 있으며 서로 협력해 기술 난제 돌파에 큰 도움을 줄 수 있다는 설명도 덧붙였다. D램과 3D 낸드 플래시를 막론하고 가장 좋은 파트너가 마이크론이라고 부연했다.  

까오치췐 부총재에 따르면 창장메모리는 올해 연말 32층 적층 3D 낸드 플래시 시제품을 내놓을 계획이다. 이어 64층 적층 버전 개발도 지속한다. 이 기술이 성숙되면 3D 낸드 양산에 나서 삼성전자와 SK하이닉스, 도시바와의 격차를 줄일 수 있을 것으로 기대한다.

지난해 3월 창장메모리는 우한 메모리 반도체 생산라인 건설에 착수 했으며 240억 달러(약 27조3600억 원)가 투입됐다. 이 공장은 2018년 양산을 시작해 2020년 월 30만 장 규모 생산 능력을 갖추게 될 것으로 예상하고 있다.