르네사스 일렉트로닉스(Renesas Electronics, 이하 르네사스)와 TSMC가 서로의 강점에 주력하는 파트너십을 통해 28nm MCU 개발과 생산을 위해 손잡았다.

일본 르네사스는 반도체 생산 설비 원가를 삭감하기 위해 자동차용 MCU 제조를 모두 TSMC에 맡기기로 했다. 르네사스는 소프트웨어와 반도체 연구개발에 주력하겠다는 것이다.

최근 르네사스는 업계 처음으로 28nm 공정을 채용한 플래시 메모리 MCU를 발표했다. 곧 시제품 납품을 시작한다. 차세대 고효율 고신뢰성 친환경 및 자율주행 자동차를 위해 RH850/E2x 시리즈 MCU에는 최대 6개의 400Mhz CPU 코어가 내장됐다. 이를 통해 업계 첫 9600MIPS 명령 처리 능력을 가진 자동차용 컨트롤러 칩 플래시 메모리 MCU가 됐다. 이 시리즈 MCU는 최대 6MB의 플래시 메모리와 보안 기능을 탑재해 안전성을 높였다는 것이 회사의 설명이다.

▲일본 르네사스는 반도체 생산 설비 원가를 삭감하기 위해 자동차용 MCU 제조를 모두 TSMC에 맡기기로 했다. /르네사스 제공

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르네사스의 28nm MCU 연산 성능은 최근의 40nm 보다 3배 이상 높다. 자율주행 기술의 발전이 이뤄지는 상황에서 저전력 소모와 높은 처리 성능을 가진 MCU 수요에 부합한다.

르네사스 측은 이번 28nm MCU가 최근 세계 선두급 제품으로서 이미 3월 시제품이 덴소(DENSO) 등 유명 자동차 부품업체로 납품됐다고 밝혔다. 목표는 2020년까지 TSMC를 통해 양산에 돌입해 르네사스가 자체적으로 생산하는 자동차용 반도체 물량은 줄이겠다는 것이다.

앞서 2015년 2월 28nm 임베디드 플래시 메모리 공정 개발을 밝힌 데 이어, 르네사스는 2016년 9월 TSMC와의 28nm 협력 계획도 내놨다. 최근 시장에 첫번째 28nm 임베디드 플래시 메모리 MCU를 출시한 것이다. 르네사스는 이미 16·14nm를 비롯해 차세대 MCU 상품을 모노스(MONOS) 플래시 메모리 기술에 적용하는 테스트도 진행하고 있다.

르네사스는 TSMC와의 협력을 통해 생산 원가를 낮추고, TSMC는 기존 설비를 이용해 28nm MCU를 생산할 수 있다는 점이 이번 협력의 포인트다.