최첨단 미세공정 반도체 외주생산(파운드리) 시장은 TSMC와 삼성전자, 글로벌파운드리, 인텔 4파전으로 좁혀졌다. 

TSMC와 삼성전자, 글로벌파운드리 3사는 7나노 공정을, 인텔은 10나노 공정을 준비 중이다. 

TSMC와 글로벌파운드리는 극자외선(EUV) 노광 없이 기존 액침(Immersion) 불화아르곤(ArF) 노광 기술로 다중 패터닝 기술을 활용, 7나노 반도체를 만든다. 1세대 제품은 이렇게 생산하고, 2세대부터는 EUV를 도입하겠다는 전략이다.

이와 달리 삼성전자는 EUV를 도입, 7나노 공정을 진행하기로 했다. 공정명도 1세대에 붙는 'LPE(Low power early)'가 아니라 2세대에만 붙는 'LPP(Low Power Plus)'라는 이름이 붙었다. 

미세 공정의 기준은 게이트(gate)의 길이(length)다. 게이트 길이가 같더라도, SRAM의 면적이나 핀 간격(Fin pitch) 등은 모두 다르다. 각 사가 내놓은 첨단 공정의 결과물은 다음과 같다.

▲반도체 제조사별 첨단 공정 비교./각 사, KIPOST 취합

첨단 공정 결과치만 보면 미세화 수준이 가장 높은 것은 삼성전자의 7나노 공정이다. 

하지만 현재까지 스코어는 TSMC가 높다. 이미 7나노 양산을 시작했고, 올해만 50여개사와 테이프아웃(Tape-out·테스트칩 검증)을 할 것이라 내다보고 있다. 글로벌파운드리와 인텔은 내년 차세대 공정 양산을 시작할 예정이다.