텍사스인스트루먼트(TI·지사장 루크 리)는 최대 10㎾급 기기에 쓸 수 있는 600V 질화갈륨(GaN) 전계효과트랜지스터(FET) 전력 제품군 ‘LMG341x’을 출시했다고 30일 밝혔다.

▲TI가 600V급 질화갈륨(GaN) 기반 FET 전력 부품을 출시했다./TI

이 제품군은 50mΩ 및 70mΩ로 나뉜다. 전원 공급 장치, 로봇, 재생 에너지, 그리드 인프라, 통신 및 개인용 전자제품 애플리케이션에서 실리콘 기반 제품군보다 더 작고 효율적이며 성능도 좋다.

특히 내부에 100㎱ 미만의 전류 제한 및 과열 감지 기능을 통합하고 있어 의도하지 않은 슛스루 현상으로부터 기기를 보호하고 열 폭주를 방지할 수 있고, 시스템 인터페이스 신호로 자체 모니터링 기능을 수행한다.

GaN 전력단은 실리콘 기반 금속산화물반도체 FET(MOSFET)보다 전력 밀도가 2배 높고 손실은 80%까지 줄일 수 있다.  각 기기는 고속 1㎒ 스위칭 주파수 및 최대 100V/ns 슬루율을 지원한다.

이 제품은 가속 테스트 및 기기 내 하드 스위치 테스트를 포함해 2000만 시간 디바이스 신뢰성 테스트를 거쳐 검증된다. 또한 각 디바이스는 슛스루 및 단락 회로 조건에 대한 열 및 고속, 100ns 과전류 보호 기능을 통합하고 있다.