국제반도체장비재료협회(SEMI)는 지난해 전세계 공장(팹) 장비 투자액이 역대 최고인 570억달러(60조7050억원)에 달했다고 ‘세계 팹 전망(World Fab Forecast) 보고서’를 통해 3일 밝혔다.

 

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▲세계 팹(Fab) 장비 투자액 추이(단위:10억달러)/자료=SEMI

이는 지난 2016년 투자액보다 41% 증가한 수치다. 특히 삼성전자와 SK하이닉스가 공격적으로 설비 투자를 단행했다. 

삼성전자는 지난해 팹 장비 투자액을 80억달러(8조5200억원)에서 180억달러(19조1700억원)로 128% 늘린 것으로 추산됐다. SK하이닉스도 당초 계획보다 규모를 70% 가량 늘려 역대 최고 수치인 55억 달러(5조8575억원)를 투자한 것으로 집계했다. 양사의 투자는 대부분 한국에 집중됐고 일부는 중국·미국에서 이뤄졌다. 

올해 팹 장비 투자액은 지난해보다 11% 증가한 630억달러(67조950억원)에 이를 것이라고 내다봤다. 삼성전자, SK하이닉스가 올해도 설비 투자를 지속하는 한편 중국의 반도체 제조시설 투자액이 급증할 것으로 봤다.

 

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▲지역별 팹 장비 투자액 추이.(단위:10억달러)/자료=SEMI

중국은 지난해 팹 건설에 60억달러(6조3900억원)를 투자한 것으로 추정된다. 지난해 건설된 팹에 올해부터 장비를 투입, 장비 투자액이 늘어날 것이라고 SEMI는 설명했다. 또 조사 결과 올해도 66억달러(7조290억원) 수준의 팹 건설 투자가 이뤄질 것으로 보인다. 

이전과 달리 푸젠진화반도체(Fujian Jin Hua), 양쯔메모리테크놀로지(Yangtze Memory Technology), 허페이창신 메모리(Hefei Chang Xin Memory) 등 현지 제조업계도 비 중국계 기업과 비슷한 수준의 장비 투자를 단행할 전망이다.

SEMI는 올해 중국계 기업은 58억달러(6조1770억원)를, 비 중국계는 67억달러(7조1355억원)를 팹 장비에 투자할 것이라고 예상했다.

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