삼성전자가 중국 시안 반도체 사업장에 낸드 생산 라인을 추가한다.

삼성전자(대표 김기남·김현석·고동진)는 28일(현지시간) 중국 산시성(陕西省) 시안시(西安市)에서 ‘삼성 중국 반도체 메모리 제2라인 기공식’을 열었다고 밝혔다.

이 라인은 내년 중 완공돼 3D V낸드플래시를 생산할 예정이다. 올해부터 3년간 총 70억달러(약7조4746억원) 규모가 투자된다. 삼성전자는 세계 최대 수요처인 중국 시장에 대응하기 위해 이를 추진, 지난해 8월 산시성 정부와 양해각서(MOU)를 맺었다.

삼성전자 시안 반도체 사업장은 지난 2012년 1기 라인이 착공된 후 2013년 전자연구소가 세워졌고, 2014년에는 1세대 V낸드 양산을 시작했다. 후공정 라인은 2015년 완공됐다. 

이날 행사에는 후허핑(胡和平) 산시성 성위서기, 먀오웨이(苗圩) 공신부 부장, 류궈중(刘国中) 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 김기남  삼성전자 대표 등이 참석했다.

김기남 삼성전자 사장은 “시안 2기 라인을 성공적으로 운영, 최고의 메모리 반도체 를 생산하고 차별화된 솔루션을 제공, 글로벌 IT 시장 성장에 기여할 것”이라고 말했다.

류궈중 산시성 성장은 “산시성은 앞으로도 삼성전자와 협력사들의 발전을 지원, 협업을 강화할 것”이라고 전했다.