중국산 메모리 반도체 개발에 진력하고 있는 칭화유니그룹이 내년 성능이 개선된 D램을 내놓을 것이란 전망이 나왔다.


중국 신다(CINDA)증권 등의 조사에 따르면 칭화유니그룹의 시안 소재 D램 설계팀이 ‘고성능 4세대 D램 메모리 반도체를 연구개발 중이며 이 제품이 내년 시장에 출시될 전망이라고 밝혔다. 이 D램은 기존 세대 대비 메모리 용량이 커지고 집적도가 높으며 읽기 속도가 빠른 것으로 알려졌다.


칭화유니그룹은 지난해 실적 하락세가 비교적 컸던 스마트폰 반도체가 호전세로 돌아서 비교적 양호한 발전추이를 보이고 있다. 이 같은 모바일 반도체 실적 개선이 전체적인 이익 개선에 기여하고 있다.



▲칭화유니그룹이 다소 줄어든 순익에도 차세대 메모리 반도체 등을 위한 연구개발을 확대하고 있다. /칭화유니 제공



3분기 빠른 성장세에도 순이익률은 비교적 낮아 전반적인 이익 규모는 다소 제한됐던 것으로 나타났다.  


회사에 따르면 올해 순이익은 2.35억 위안에서 3.36억 위안 규모가 될 것으로 전망된다. 이는 지난해보다 30% 가량 낮아지거나 같은 수준이다.


올해 1~3분기 매출은 13억800만 위안으로 지난해 보다 31.31% 높아졌으나 순이익은 2.13억 위안으로 지난해 같은 기간 보다 22.912% 낮아졌다.


회사는 FPGA 제품의 연구개발 투자가 확대되면서 2억 위안 이상이 투입됐다고 부연했다. 여전히 제품이 미들-로우엔드 시간에 머물러 있으나 향후 하이엔드 시장에 진입할 계획이다.


이 가운데 연구개발 투자를 늘리고 있으며 연구개발 비용 규모는 급격히 증가하는 추이다.


자회사인 스프레드트럼의 제품과 이 회사의 제품이 달라 경쟁관계는 아니고 협력관계라고 강조하기도 했다.


 

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