넥스페리아, WBG(와이드밴드갭) 등 전력 반도체 대규모 투자
넥스페리아, WBG(와이드밴드갭) 등 전력 반도체 대규모 투자
  • 오은지 기자
  • 승인 2021.02.18 12:14
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

질화갈륨(SiGe) 반도체 등 차세대 소재 반도체 수요 증가 대비

넥스페리아는 제조 및 연구개발(R&D) 글로벌 투자를 단행한다고 18일 밝혔다. 이 계획은 작년에 넥스페리아의 모회사인 윙텍 테크놀로지가 상하이 링앙에 새로운 300mm(12인치) 전력 반도체 웨이퍼 팹 건설에 120억 위안(18억 5천만 달러)을 투자한 데 이은 조치이다. 윙텍은 2022년에 신 공장을 가동, 연간 40만장의 웨이퍼를 생산할 예정이다.

팹의 효율성 개선은 물론, 신규 투자도 예정됐다. 독일 함부르크와 영국의 맨체스터의 유럽 웨이퍼 팹에 새로운 200mm 기술을 구현할 계획이다. 함부르크 팹에서는 WBG 반도체 제조를 위한 새로운 기술에 대해 추가 투자가 단행된다.

R&D 투자는 총 매출 약 9% 수준에서 이뤄질 예정이다. 넥스페리아는 최근 말레이시아 페낭과 중국 상하이에 새로운 글로벌 R&D 센터를 개설하고 홍콩, 함부르크, 맨체스터에 있는 기존의 R&D 시설을 확대했다. 한편 중국 광둥의 넥스페리아 공장, 말레이시아의 세렘반, 필리핀의 카부야오 공장에서는 최신 자동화 시설 증대 및 시스템 패키지(SIP) 기능 구현을 포함한 테스트 및 조립 시설에 투자가 이어질 예정이다.

아킴 켐프(Achim Kempe) 넥스페리아 최고 운영 책임자(COO)는 "차량 전동화, 5G 통신, 인더스트리 4.0 증가에 따라 질화 갈륨 기반 설계가 2021년 이후 본격적으로 채택되면서 전력 반도체에 대한 수요 증가를 촉진할 것”이라고 투자 배경을 설명했다. 그는 "당사는 이미 연간 900억개 이상의 반도체를 출하하는 가장 큰 업체"라며 "향후에도 추가적인 글로벌 투자를 통해 미래의 수요에 대응하는 대량 생산에 필요한 기술과 제조 능력을 지속적으로 늘릴 계획”이라고 말했다.

쉬에정 장(윙) 윙텍과 넥스페리아의 CEO는 "윙텍은 2019년에 넥스페리아를 인수한 이후 야심찬 성장 계획을 지원하고 두 업체 간의 시너지 효과를 활용하기 위해 지속적으로 투자를 해오고 있다. 당사는 지난 해에 새로운 300mm 팹을 발표하고 페낭과 상하이에 디자인 센터를 개설한 데 이어 전 세계의 시설의 지속적인 투자를 통해 업계에서 위상과 시장 점유율을 높이는 성장을 계속할 것이다."라고 말했다.

넥스페리아 회사 소개

넥스페리아

전 세계 모든 전자 설계에 필요한 필수 반도체 및 부품의 대량 생산 전문업체이다. 넥스페리아의 광범위한 포트폴리오에는 다이오드, 양극성 트랜지스터, ESD 보호 소자, MOSFET, 질화 갈륨(GaN) FET 를 비롯해 아날로그 및 각종 로직 IC들이 포함된다. 네덜란드 네이메헌에 본사를 둔 넥스페리아는 매년 900억 개 이상의 제품을 공급하며 자동차 산업이 정한 엄격한 기준을 충족하고 있다. 이 제품들은 공정, 크기, 전력 및 성능 등 모든 면에서 효율성의 기준으로 인정받으며 특히 기기 설계에 귀중한 에너지와 공간을 절약해주는 업계 최고의 소형 패키지로 업계의 벤치마크가 되고 있다.

수십 년간의 경험을 바탕으로 전 세계 굴지의 기업들에 제품을 공급하는 넥스페리아는 각 지역별 고객 지원을 위해 아시아, 유럽, 미국 전역에 걸쳐 22,000명이 넘는 직원들을 고용하고 있다. 윙텍 테크놀로지의 자회사인 넥스페리아는 광범위한 IP 포트폴리오를 보유했으며 IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 및 OHSAS 18001 인증을 획득했다.

 



댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.