이미 개발 착수

중국 메모리 반도체기업의 D램 개발이 속도를 내고 있다. 

2일 중국 안후이(安徽)성 경제및정보화청은 '중점 영역 보완 상품 및 핵심 기술 개발 임무 공포 작업 방안'을 발표하고, 주요 기업이 2~3년 내 개발할 핵심 기술 로드맵을 발표했다. 방안에 따르면 허페이 창신메모리(CXMT, Changxin Memory Technologies)는 3년 내 LPDDR5 기술 개발을 목표로 삼았다.

최근 이미 자체 지식재산권(IP) 기반 DDR4를 상용화한데 이어 LPDDR5 상용화를 위한 단계적 기술 개발 로드맵을 실현할 계획이다. 

방안에 따르면 고급형 모바일, 태블릿PC, 소비자 가전에 적용할 수 있는 D램 칩 개발을 위해 LPDDR5 산업화를 추진하고, 14/15nm 공정 연구개발도 동시에 추진한다. 최근 양산되는 메모리 공정은 19nm다. 

 

창신메모리 이미지. /창신메모리 제공
창신메모리 이미지. /창신메모리 제공

 

구체적으로는 '저전력 고속 LPDDR5 D램 개발'을 실현하겠단 목표다. D램 17nm 및 이하 공정을 개발하고 고속 인터페이스 기술, 뱅크그룹(Bank Group) 아키텍처 설계, 저전력 전원(전압) 기술, 온다이(On-Die) ECC 기술 등을 함께 개발한다. 

또 향후 클라우드컴퓨팅, 인공지능 등 D램의 소형화, 대용량화, 고속화 수요에 대응할 수 있는 14/15nm 공정 D램 공정을 개발해 산업화하겠단 목표다. 

더 나아가 D램의 공정 개발 수요에 맞춰 알루미늄 적용 공정 개발과 산업화도 추진한다. 

회사는 일련의 이같은 기술 개발의 실현 시간을 2~3년 내로 지정했으며, 차세대 DDR4, LPDDR4, DDR5, LPDDR5 메모리 공정 기술 개발에 이미 착수한 상황이다. 

창신메모리는 인공지능(AI) 기업 아이플라이텍(iFlytek), 디스플레이 기업 BOE, 그리고 여러 가전 및 에너지 기업과 협력해 공동 기술개발을 추진하고 있다. 중국과학기술대학, 중국전자과기그룹제38연구소 등 연구소와도 협업중이다. 

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