20일 중국 '국가메모리기지' 프로젝트의 2기 공장이 우한(武汉) 둥후가오신(东湖高新)에서 착공했다. 

'창장메모리 국가메모리기지'라고 명명된 국가메모리기지 프로젝트는 칭화유니그룹, 중국 국가반도체펀드, 후베이(湖北)성 과투(科投)그룹, 후베이성 반도체펀드가 공동으로 투자해 건설된다. 두 기로 나눠 건설되는데 3D 낸드 플래시 칩 공장에 총 240억 달러가 투입된다. 

착공식에서 칭화유니그룹 겸 창장메모리 회장인 자오웨이궈(赵伟国)는 "1기는 주로 기술적 나나제를 풀어내는 데 주력했으며 월 10만 개의 생산능력을 갖추도록 지어졌다"며 "2기는 월 20만 개의 생산능력을 갖게 되며 두 기의 공장 생산이 이뤄지면 총 월 30만 개 생산능력을 보유하게 된다"고 설명했다. 

1기 공장은 2016년 말 착공했으며, 32단과 64단 메모리 양산을 진행하고 있다. 지난 4월 세계 첫 128단 QLC 3D 낸드 플래시 칩을 개발했다고 발표하기도 했다. 이미 여러 컨트롤러 기업 SSD 등에서 검증됐다. 

칭화유니그룹에 따르면 업계 첫 128단 QLC 규격의 3D 낸드 플래시로서 창장메모리의 'X2-6070'은 업계에서 가장 높은 단위 면적당 메모리 밀도를 보유했으며 최고 I/O 전송속도와 최고 싱글 낸드 플래시 칩 용량을 지닌다.

2014년 중국 국무원은 '국가반도체산업발전추진강요'를 발표하고 당해 9월 국가펀드 1기를 출범했으며 2019년 10월 2000억 위안 규모의 국가펀드 2기를 설립했다. 

1기에서 창장메모리에 190억 위안을 비롯해 SMIC에 215억 위안 등 주로 제조 인프라에 투자했다.