中 '국가 메모리 기지 2기' 공장 우한서 착공
中 '국가 메모리 기지 2기' 공장 우한서 착공
  • 유효정 기자
  • 승인 2020.06.22 16:42
  • 댓글 0
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1기+2기 총 월 30만 개 낸드 플래시 생산능력 확보
20일 중국 '국가메모리기지' 프로젝트의 2기 공장이 우한(武汉) 둥후가오신(东湖高新)에서 착공했다. '창장메모리 국가메모리기지'라고 명명된 국가메모리기지 프로젝트는 칭화유니그룹, 중국 국가반도체펀드, 후베이(湖北)성 과투(科投)그룹, 후베이성 반도체펀드가 공동으로 투자해 건설된다. 두 기로 나눠 건설되는데 3D 낸드 플래시 칩 공장에 총 240억 달러가 투입된다. 착공식에서 칭화유니그룹 겸 창장메모리 회장인 자오웨이궈(赵伟国)는 \"1기는 주로 기술적 나나제를 풀어내는 데 주력했으며 월 10만 개의 생산
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