Q1. EUV 기술이 적용된지도 1년이 지났다. EUV 기술 도입 이전 업계가 골머리를 썩었던 건 스캐너가 아니라 재료와 계측검사(MI)였는데, 아직도 이 문제가 해소되지 않은 것 같다. 특히 MI 쪽은 하면 할수록 쉽지 않다는 얘기가 들려오고 있다. 이유가 무엇인가?

A1. MI는 EUV에서 더욱 어려워지고 있으며, 특히 마스크 MI의 경우 더 그렇다. 자이스 세미컨덕터 마스크 솔루션(SMS)은 마스크 측정 및 수리 시스템의 주요 공급 업체이므로 이와 관련된 부분을 중심으로 얘기하겠다.

먼저 결함 및 피처 크기가 작아짐에 따라 기술적 과제들이 생겨나고 있고, 여기에는 마스크 측정 시스템의 높은 해상도와 반복성이 요구된다. 또 스루-펠리클(thru-pellicle) 측정 및 EUV 위상 효과와 같은 요구사항들 때문에 화학선(actinic) 측정 시스템의 필요성이 더욱 대두되고 있다. EUV 조명을 사용하는 액티닉 시스템은 개발에 많은 투자가 필요하다. 마스크 사업은 시장 규모가 작기 때문에 모든 공급 업체들이 신중하게 사업 사례를 분석한다.

그러나 최근 몇 년간 이 분야에서 많은 진전이 있었다. 자이스는 최초의 액티닉 마스크 측정 시스템인 AIMS(Aerial Imaging Measurement System) EUV를 시장에 선보였다. AIMS EUV는 스캐너 에뮬레이터로 작동하며, 가격도 비싸고 시간이 많이 소모되는 웨이퍼 인쇄없이 결함과 마스크 인쇄 성능을 분석할 수 있다.

이와 관련해 레이저텍(Lasertec)이 최근에 APMI(Actinic Patterned Mask Inspection System)에 대한 결과를 발표한 바 있다. 앞으로 EUV가 점점 더 급증함에 따라 MI 시스템이 대량생산을 지원할 수 있을 것으로 생각한다.

Q2. EUV 마스크 쪽에서도 MI 이슈가 있는 것 같다. 기존 DUV용 마스크는 투과형인 반면 EUV마스크는 반사형이고 구성도 달라 MI 방식도 바뀌었을 것 같은데, 어떻게 바뀌었나?

A2. 업계에서 발표된 여러 논문을 살펴보면, 마스크의 반사 특성으로 인해 소위 마스크 3D 및 위상 효과가 DUV에 비해 EUV에서 훨씬 더 큰 영향을 미친다.(중요한 역할을 한다) 이러한 현상은 EUV 조명을 사용한 마스크에서만 측정할 수 있으므로 AIMS와 같은 액티닉 마스크 측정이나 APMI와 같은 검사는 EUV 마스크 제작에 있어 필수적이다.

Q3. 위 질문과 관련해 초기에는 ASML이 자이스의 AIMS를 채택하라고 제조사에게 권고했다고 들었다. AIMS는 스캐너 안에 모듈 형태로 들어가는 것인가? ASML이 EUV 스캐너에 장착한 자체 MI 모듈와 AIMS는 어떤 차이점이 있나?

A3. AIMS 시스템은 독립형 시스템으로 DUV에 사용됐으며 약 25년 동안 사실상 업계 표준으로 자리잡아왔다. 이 시스템은 스캐너 조건에 따른 마스크를 검증하기 위해 마스크 제조 업체(마스크 샵)에서 이용되는데, 이를 ‘스캐너 에뮬레이션’이라고 부른다.

AIMS는 스캐너와 동일한 파장, 조명 및 개구수(NA)를 사용하지만, 마스크를 웨이퍼상에 축소하는 대신 전하결합소자(CCD) 카메라에서 마스크의 일부를 확대한다. 그러면 카메라는 스캐너가 웨이퍼에서 보는 것과 같은 방식으로 영역 이미지(aerial image)를 보게 된다. 이 방법을 사용하면 스캐너가 보는 것과 같은 방식으로 마스크 결함, 결함 복구 또는 마스크 CD 균일성을 분석할 수 있다. 비용과 시간이 많이 소요되는 웨이퍼 인쇄 작업도 필요 없다. 이는 일반적으로 스캐너에 액세스 할 수 없는 마스크 공급자에게 중요하다.

AIMS 시스템은 ASML 내부의 자체 MI 모듈과 제조상 완전히 다른 목표를 가지고 있다. 스캐너 내에서의 측정(ASML의 MI 모듈)은 웨이퍼 제조 과정에서 우수한 웨이퍼 결과를 보장하기 위해 사용되는 반면, AIMS는 마스크 샵이 고비용의 웨이퍼 인쇄를 하지않고도 스캐너를 에뮬레이션하고 완벽한 마스크를 생산할 수 있도록 한다.

Q4. 13.5나노(EUV) 기반 MI 기술과 193나노 광원에서 명암비를 높인 MI 기술 중 어느 쪽이 더 뛰어난 성능을 가질 수 있을까? 광학식의 경우, 노광장비의 광원에 따라서 쫓아서 쓰는 경우가 많은데, EUV MI는 13,5나노로 내려가야 한다는 주장이 있고, 193 나노에서 명암비를 높여서 충분히 성능을 낼 수 있다고 하는 두가지 의견으로 나뉜다. 그런데 명암비를 조금만 높여도 어느 정도 크기 이하는 안보일 수도 있고, 어떠한 것은 오히려 선명할 수도 있다고 들었다. 두 방식 중 어떠한 기술이 더 현실적이고 성능면에서 나은가.

A4. 측정 및 검사에 EUV 파장을 사용하면 두 가지 장점이 있다. 첫째, 파장이 작을수록 해상도가 높아진다(‘NA(numerical aperture)’라는 파라미터가 동일할 경우). 또 다른 측면은, 마스크 상에 발생하는 효과들은 오직 EUV 또는 스캐너 파장에서만 볼 수 있다는 것이다.

Q5. 내년부터 D램에도 본격적으로 EUV가 채택되기 시작한다. 메모리 제조사로부터 MI 장비에 대한 수요가 있나?

A5. 마스크 검사외에 전체 웨이퍼 제조 시장을 보면, 자이스는 3D 구조용 MI 솔루션을 제공하기 위한 X-ray, 전자 및 이온 빔 기술도 개발하고 있다.

3D 구조는 FEOL(Front end of line) 및 BEOL(back end of line) 웨이퍼 팹과 패키징 애플리케이션 분야 모두에서 증가 추세다. 예를 들면, FEOL에서 자이스의 이온빔 기반 현미경 검사 솔루션은 나노미터(nm)급의 최첨단 3D-NAND 메모리 아키텍처를 3D로 특성화 하는데 도움을 준다. 홀 직경, 타원율, 보잉·벤딩(bowing/bending) 및 각 채널의 전체 길이를 따라 기울어진 정도 등 기존 2D 횡단면을 통해 얻을 수 있는 것 이상의 기능들을 제공한다.

자이스의 멀티빔 주사전자현미경(SEM) 기술은 높은 처리량 검사 기능도 제공한다. 또 불량 분석 및 공정 특성화를 위한 자이스 3D 엑스레이 현미경이 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 패키지의 중요한 기능으로 부상하고 있다. 

Q6. EUV는 아니지만 반도체 후공정에서도 MI가 중요한 이슈로 떠오르고 있다. 3D 구조, 팬아웃 기술 등이 도입되면서 MI가 상당히 까다로워졌다고 들었는데, 자이스의 X-ray 검사 장비는 타사와 비교했을 때 어떤 차이점을 갖고 있나?

A6. 거의 10년 동안 자이스 '엑스라디아 버사(Xradia Versa) 3D 엑스레이 현미경(XRM)'은 반도체 패키지의 비파괴 불량 분석의 표준이었다. 자이스의 XRM 시스템은 RaaD(Range at a Distance)라는 고유한 기능을 통해 높은 처리량으로 더 큰 샘플 크기와 작업 거리에서 높은 해상도와 명암비를 구현한다.

엑스라디아 버사 렙스캔(Xradia Versa RepScan) 시스템은 XRM 시스템과 정교한 분석 소프트웨어 및 여러 샘플의 반복 스캔을 위한 자동 시스템을 결합한 제품이다. 이 시스템은 물리적 파괴검사, 2D 엑스레이, microCT 등 기존 방식으로는 달성할 수 없던 최첨단 패키지에 묻혀 있는 형상의 3D 비파괴 부피 및 선형 측정이 가능하다.