인피니언테크놀로지스(지사장 이승수)는 자사의 실리콘 카바이드(SiC) 제품 포트폴리오에 650V '쿨시크(CoolSiC) 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET)' 제품군을 추가했다고 5일 밝혔다.

이 제품군은 에너지 효율과 전력 밀도가 높고 견고성도 뛰어나다. 서버, 네트워크, 산업용 SMPS(Switching Mode Power Supply), 태양광 에너지 시스템, 에너지 저장 및 배터리 포메이션, 무정전전원장치(UPS), 모터 드라이브, 전기차(EV) 충전 등에 적합하다.

CoolSiC MOSFET 650V 제품의 온-저항(RDS(ON)) 정격은 27~107mΩ다. 표준 TO-247 3핀과 TO-247 4핀 패키지로 제공돼 스위칭 손실을 더 낮출 수 있다.

기존 CoolSiC MOSFET 제품과 마찬가지로, 650V 제품 역시 인피니언의 최신 트렌치 반도체 기술을 채택하고 있다. SiC의 뛰어난 물리적 특성을 극대화해 뛰어난 신뢰성과 동급 최상의 스위칭 및 전도 손실을 제공한다. 또 최고의 트랜스컨덕턴스 레벨(증폭율), 4V 문턱 전압(Vth), 단락 회로 견고성을 특징으로 한다. 트렌치 기술은 애플리케이션에서 손실을 최소화하고 가동시에 최고의 신뢰성을 달성한다.

650V CoolSiC MOSFET은 시중의 다른 실리콘 및 실리콘 카바이드 솔루션 대비 고주파수에서 스위칭 효율과 뛰어난 신뢰성 등 매력적인 이점을 제공한다. 온도에 대한 온 상태 저항(RDS(on)) 종속성이 매우 낮아 열 동작이 우수하다. 견고하고 안정적인 바디 다이오드를 통합, 매우 낮은 역 복구 전하(QRR)를 유지하는데, 수퍼정션 CoolMOS MOSFET 대비 약 80% 더 낮다. 정류 견고성이 뛰어나 연속 전도 모드 토템폴 PFC를 사용, 전체 시스템 효율을 98% 달성할 수 있다.

CoolSiC MOSFET 650V 제품을 사용해 제품 설계를 빠르게 하고 성능을 최대화할 수 있도록 인피니언은 1채널 및 2채널 전기적 절연형 게이트 드라이버 집적회로(IC) 'EiceDRIVER'를 제공한다. CoolSiC 스위치와 전용 게이트 드라이버 IC를 결합하면 시스템 비용과 총소유비용(TCO)을 낮추고 에너지 효율을 향상시킬 수 있다. 'CoolSiC MOSFET'은 인피니언 EiceDRIVER 게이트 드라이버 제품군의 다른 IC와도 원활하게 동작한다.

CoolSiC MOSFET 650V 제품군은 8개 제품을 포함하며, 2가지 쓰루홀 TO-247 패키지로 현재 공급 중이다. 3종의 전용 게이트 드라이버 IC는 이달 공급을 시작한다.

스테판 메츠거(Steffen Metzger) 인피니언 전력 관리 및 멀티마켓 사업부 고전압 변환 담당 선임 이사는 “CoolSiC 650V 제품을 추가, 인피니언은 600V/650V 전력대의 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드 기반 전력 반도체 포트폴리오를 완성하게 됐다"며 "인피니언은 세 가지 전력 기술로 다양한 제품을 제공하는 유일한 회사로, 새로운 CoolSiC 제품군 출시로 인피니언은 산업용 SiC MOSFET 스위치 1위 공급업체로 앞서 나가게 됐다”고 말했다.