중국 저장(浙江)성 자싱(嘉兴)시에서 3세대 반도체 재료를 적용한 반도체 양산에 속도를 내고 있다. 

중국 지웨이왕에 따르면 저장보팡자신(浙江博方嘉芯)반도체과기유한회사(集成电路科技有限公司)가 25억 위안(약 4157억 2500원)을 투자해 질화갈륨(GaN) RF(radio frequency) 칩과 파워 IC 산업화 공장이 자싱과기성(嘉兴科技城)에 건설된다. 

이 곳은 GaN RF 칩과 파워 IC를 대규모로 양산하는 기지가 되며 전체 전체 가동 이후 연간 30억 위안(약 4988억 7000만 원) 이상 규모 생산을 목표로 잡았다. 난후(南湖)구의 차세대 반도체 산업에 동력이 될 것으로 기대되고 있다. 

GaN은 3세대 하이 포비든 밴드폭(Width of high forbidden band)을 위한 반도체 재료로서 1세대 실리콘(Si)과 2세대 갈륨비소(GaAs) 등과 대비해 높은 작업 주파수율, 전자 전이속도, 항(抗)천연방사 및 소비전력 감소 등 특성을 갖고 있다. 5G 통신 기지국, 스마트 모바일 기기, 사물인터넷(IoT), 군용 및 우주용, 데이터센터, 통신설비, 스마트전기망, 태양광 인버터 등 영역에 널리 적용될 수 있다. 

최근 자싱구의 반도체 산업은 빠르게 발전하고 있다. 자싱난후구는 '반도체산업발전규획(2019~2023)을 발표하면서 특색있는 제품과 파워칩, MEMS 센서 등 영역의 반도체 집중 발전을 꾀하고 있다.