3D 적층 기술도 진화한다… TSV에서 M3D로
3D 적층 기술도 진화한다… TSV에서 M3D로
  • 김주연 기자
  • 승인 2019.09.26 10:31
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TSV는 연결 밀도 늘리기 어렵고 공정 비용도 비싸… HBM 개당 최소 50달러
M3D는 CMOS 공정 전공정(FEOL)에서 진행… 레이저 어닐링·본딩 기술 핵심
그동안 한정된 공간에 반도체를 수직으로 쌓아 올리는 데 필요한 대표 기술은 실리콘관통전극(TSV)이었다. D램 다이(die)를 층층이 쌓아 메모리 대역폭과 용량을 늘린 고대역폭메모리(HBM)에도 TSV가 쓰였다.

하지만 TSV 기반 3D 적층 기술로 성능을 높이는 데도 한계가 있다. 이에 모놀리식 3D 등 차세대 적
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