SK하이닉스, HBM2E 개발… 삼성보다 성능 좋아
SK하이닉스, HBM2E 개발… 삼성보다 성능 좋아
  • 김주연 기자
  • 승인 2019.08.12 16:43
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대역폭 460GB/s, 핀 당 전송속도 3.5Gb/s 달성… 내년 양산
삼성전자 플래시볼트(Flashbolt)는 각각 410GB/s, 3.2Gb/s
SK하이닉스가 고화질 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초만에 처리할 수 있는 HBM2E를 개발했다./SK하이닉스
SK하이닉스가 고화질 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초만에 처리할 수 있는 HBM2E를 개발했다./SK하이닉스

SK하이닉스(대표 이석희)는 초고속 ‘고대역폭메모리(HBM)2E’ D램을 개발했다고 12일 밝혔다. 양산은 내년이다.

HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 2세대 HBM의 확장판 규격으로, HBM2 대비 처리 속도가 50% 빠르다.

SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 3.6Gb/s 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GB의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 고화질(FHD) 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다.

용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 쌓고 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.

HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 그래픽처리장치(GPU)를 비롯해 머신러닝(ML)과 슈퍼컴퓨터, 인공지능(AI) 등에 적합하다.

HBM은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들고 메인보드에 장착해 프로세서 등과 연결하는 게 아니라 칩 자체를 연산 반도체의 수십㎛ 옆에 장착해 데이터가 오가는 길을 줄인 메모리다.

앞서 삼성전자도 지난 3월 플래시볼트(Flashbolt)라는 브랜드명으로 HBM2E를 출시했다. 삼성전자의 HBM2E는 HBM2보다 용량이 33% 많고, 패키지 기준으로 대역폭은 410GB/s를 달성했다. 핀 당 전송 속도는 3.2Gb/s로, SK하이닉스보다 다소 느리다.

전준현 SK하이닉스 HBM사업전략 담당은 “SK하이닉스는 지금까지 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도해왔다”며 “시장이 열리는 내년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다”고 말했다.