IGBT에 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 결합한 게이트 드라이버 나와
IGBT에 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 결합한 게이트 드라이버 나와
  • 김주연 기자
  • 승인 2019.07.18 11:35
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

TI, 보호 기능 및 첨단 모니터링 기능도 통합… 외부 부품 필요 없어
TI가 첨단 모니터링 기능과 보호 기능이 통합된 절연 게이트 드라이버 3종을 출시했다./TI

텍사스인스트루먼트(TI)는 고전압 시스템용으로 우수한 첨단 모니터링 기능과 보호 기능을 제공하는 새로운 절연 게이트 드라이버 3종을 출시했다고 18일 밝혔다.

이번에 출시된 'UCC21710-Q1', 'UCC21732-Q1', 'UCC21750'은 트랙션 인버터, 온보드 충전기, 솔라 인버터, 그리고 모터 드라이브 등에 적합하다.

세 제품들에는 업계 최초로 절연게이트양극성트랜지스터(IGBT)와 실리콘카바이드(SiC) 금속산화물 반도체전계 트랜지스터(MOSFET)를 위한 집적 통합 센싱 기능이 적용됐다. 

이를 통해 디자인은 간소화하고, 최대 1.5KVRMS 로 동작하는 시스템에서도 시스템 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있게 됐다. 뿐만 아니라, 통합된 부품들을 통해 200ns의 과전류 감지로 과전류 상태를 신속하게 탐지하고 안전하게 시스템을 정지하는 기능도 포함됐다.

TI의 새로운 게이트 드라이버는 버퍼와 센서를 통합하고 있어, 별도의 외부 컴포넌트가 필요 없다. 또한, 절연된 아날로그-투-펄스-폭 변조 센서를 이용한 정밀한 온도, 전류, 전압 센싱으로 시스템 레벨의 진단을 간소화하고 스위치 오류를 방지한다.

또 전기 용량성 절연 기술을 사용해 절연 장벽의 수명을 확장했고, 더욱 강화된 절연 등급과 빠른 데이터 속도를 구현함은 물론 고밀도 패키징도 가능하다.

TI는 이와 함께 강화된 노이즈 내성 기능과 더 넓은 작동 온도 범위를 요구하는 산업용 애플리케이션 개발자들을 위한 광학 겸용 게이트 드라이버, UCC23513 도 발표했다. UCC2513은 3A의 드라이브 전류 세기와 5KVRMS의 강화된 안전 절연 기능을 제공한다. 

이 새로운 게이트 드라이버는 -40ºC ~ +150ºC의 넓은 접합 온도와 100 V/ns 이상의 높은 CMTI를 제공해 개발자들이 모터 드라이브와 솔라 인버터, 파워 서플라이에서의 시스템 성능과 신뢰도를 극대화함은 물론, 기존 옵토커플러 설계에서 구현이 어려웠던 한계를 극복할 수 있게 했다.

뿐만 아니라, 개발자들은 옵토 절연 게이트 드라이버와 핀-투-핀 호환이 가능한 UCC23513과 기존 디자인 리소스를 이용해서 출시 속도를 앞당길 수 있을 것으로 기대된다. 디자인 리소스에는 200-480 VAC 드라이브를 위한 3상 인버터 레퍼런스 디자인 및 광학 모방 입력 게이트 드라이버도 포함됐다.

스티브 램버시스(Steve Lambouses) TI 고전압 전력 제품 담당 부사장은 “고전압 모터 드라이브와 전원 공급 애플리케이션에서 시스템 견고성에 대한 요구조건이 점점 까다로워지고 있다”며, “절연 기술을 사용하는 TI의 새로운 게이트 드라이버는 다른 통합 기능과 결합해서 엔지니어가 공간과 비용을 최소화하고, 보다 신속하게 신뢰할 수 있는 시스템 생산 단계로 진입할 수 있도록 지원한다”고 설명했다.


댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.