삼성전자(대표 김기남·김현석·고동진)는 3일 서울 그랜드 인터컨티넨탈 파르나스 호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2019 코리아'를 개최했다고 이날 밝혔다.

이번 포럼에는 작년보다 약 40% 증가한 500명 이상의 팹리스 고객과 파운드리 파트너가 참석했다. 전시 부스를 운영하는 기업도 2배 가량 증가했다.

삼성전자는 이번 포럼에서 인공지능(AI), 5세대 이동통신(5G), 전장, 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 시대를 주도할 최신 극자외선(EUV) 공정 기술부터 저전력 완전공핍형 실리콘온인슐레이터(FD-SOI), 8인치 솔루션까지 폭 넓은 파운드리 포트폴리오를 소개했다.

특히 지난해 발표 세션엔 없었던 설계자산(IP) 포트폴리오와 로드맵을 공개해 팹리스들의 호응을 끌었다.

정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 기조연설에서 "삼성전자는 반도체 불모지에서 사업을 시작해 역경을 딛고 업계 1위에 올랐다"며 “파운드리 분야의 최고를 향한 여정도 쉽지 않겠지만 난관을 헤치고 함께 성장해 나갈 수 있게 관심과 응원을 부탁 드린다"고 말했다.

또 "국내 팹리스 기업들이 신시장을 비롯한 다양한 분야에서 활약할 수 있도록 디자인 서비스, 제조, 패키지 등 개발부터 양산까지 협력 생태계를 활성화해 시스템 반도체 산업 발전에 기여하겠다"고 덧붙였다.

삼성전자는 국내 팹리스 기업에게 7나노 이하 EUV 기반 초미세 공정도 적극 제공해 차세대 첨단 제품 개발을 지원, 국내 시스템 반도체 산업의 경쟁력 확보에도 기여할 계획이다.

또한 팹리스 고객들이 삼성의 파운드리 공정 기술과 서비스를 보다 쉽게 활용할 수 있도록 반도체 디자인하우스를 비롯해 IP, 자동화 설계 툴(EDA), 조립테스트(OSAT)까지 국내 파운드리 파트너들과 협력을 확대해 나갈 예정이다.

한편 삼성전자는 지난 4월, 저전력 28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM 솔루션 제품과 EUV 노광 기술을 적용해 성능과 수율을 높인 7나노 핀펫 제품을 출하와 차세대 5나노 공정 개발을 공개했다.

특히 전류가 흐르는 통로인 원통형 채널(Channel) 전체를 게이트(Gate)가 둘러싸 전류의 흐름을 더 세밀하게 제어할 수 있는 차세대 트랜지스터 구조의 3나노 GAE(3나노 Gate-All-Around Early) 공정 설계 키트(PDK v0.1, Process Design Kit)를 팹리스 고객에게 배포하기도 했다.