온세미컨덕터는 독일 뉘른베르크에서 오는 7일(현지 시각) 개최되는 'PCIM 유럽 2019'에서 실리콘카바이드(SiC) 기반 하이브리드 절연게이트양극성트랜지스터(IGBT) 및 절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버를 전시한다고 2일 밝혔다.

하이브리드 IGBT인 'AFGHL50T65SQDC'는 필드 스톱 실리콘 IGBT와 SiC 기반 쇼트키 배리어 다이오드가 결합됐다. 토템 폴(totem pole) 기반의 브릿지리스 PFC(Bridgeless Power Factor Correction) 및 인버터 등 리버스 리커버리(Reverse recovery) 손실 감소로부터 이점을 얻으며, 다중 전원 시스템에서 도통 손실과 스위칭 손실이 낮다. 

실리콘과 실리콘카바이드의 결합으로 성능과 가격의 균형을 맞췄다. 650V 작동에 적합하며, 최대 200A의 펄스 전류뿐 아니라 최대 100A@25℃(50A@100℃)의 직류를 처리할 수 ​​있다. 더 많은 전류 용량이 필요한 시스템은 PTC(Positive Temperature Co-efficient)에서 쉽고 편리하게 병렬 조작할 수 있다.

최신 전기 자동차 어플리케이션은 차량 주행 시 에너지를 사용하지만, 경우에 따라서 피크타임시 가정에서 전력을 공급하는 데 사용될 수 있는 에너지를 저장하기도 한다.

이를 위해 전송 도중에 에너지가 소모되지 않도록 고효율 스위칭이 필요한 양방향 충전기가 있어야 한다. 외부 SiC 다이오드가 있는 IGBT는 순방향 및 리버스 리커버리 손실이 없으므로 MOSFET 솔루션보다 훨씬 효율적이다.

AFGHL50T65SQDC는 175℃의 높은 접합 온도에서 작동할 수 있어 자동차를 포함한 가장 까다로운 전력 시스템에도 적용 가능하다. AEC-Q101 인증을 받았다.

절연 고전류 IGBT 드라이버 'NCD(V)57000 시리즈'도 새롭게 선보인다. 이 제품군은 태양광 인버터, 모터 드라이브, 무정전전원장치(UPS)와 파워트레인 및 PTC 히터 등 다중 전력 시스템에 적합하다.

내부에 갈바닉 세이프(galvanic safe) 절연 기능이 내장된 고전류 단일 채널 IGBT 드라이버로, 고신뢰성 시스템 내부에서 고효율 작동을 제공하도록 설계됐다.

상보 입력, 오픈 드레인 폴트 및 출력 대기, 액티브 밀러 클램프(Miller clamp), 정확한 저전압 차단(UVLO), 소프트 턴 오프 기능을 가진DESAT 보호, 네거티브 게이트 전압 핀과 시스템 설계 유연성을 위한 별도의 온/오프 드라이버 출력 핀을 제공한다.

갈바닉 절연은 UL1577의 요구사항을 충족하는 5kVrms 이상에서 적합하며, 사용 전압은 1200V 이상이다. 강화된 안전 절연 요구사항을 충족시키기 위해 8mm의 크리피지 디스턴스(creepage distance(입력>출력))를 보장한다. 

구동 전류는 7.8A, 싱크 전류는 일부 경쟁 솔루션의 3배 이상에 달하는 7.1A다. 밀러 플래토(Miller plateau) 영역에서 작동 시 더 큰 전류 성능을 발휘할 수 있다.