삼성전자가 역대 최고 속도의 플래시 메모리로 차세대 플래그십 스마트폰 메모리 시장을 선점한다.

삼성전자(대표 김기남·김현석·고동진)는 기존 '임베디드 유니버셜 플래시 메모리(eUFS) 2.1'보다 2배 이상 빠른 '512GB eUFS 3.0'을 양산한다고 27일 밝혔다.

eUFS 3.0은 eUFS 2.1보다 2배 이상 빠른 2100MB/s의 연속읽기 속도를 구현한다. SATA SSD보다 약 4배, 마이크로SD 카드보다는 20배 이상 빠른 속도다. 모바일 기기(eUFS 3.0)에 저장한 풀HD 영화 1편(3.7GB)을 PC(NVMe SSD)로 3초만에 보낼 수 있는 수준이다.

5세대(9x단) 512Gb V낸드 8단과 고성능 컨트롤러로 구성, 초고속 'NVMe SSD' 수준의 성능을 구현했다. 이 제품으로 소비자들은 초고해상도의 모바일 기기에서도 울트라 슬림 노트북PC 수준의 성능을 느낄 수 있다.

연속쓰기 속도도 410MB/s로 기존 eUFS 2.1 제품보다 1.5배 이상 높였고, 임의 읽기·쓰기 속도도 최대 1.3배 빠른 63,000·68,000 초당 입출력(IOPS)를 제공한다. 

임의 읽기·쓰기 속도는 마이크로SD 카드(100 IOPS)보다 630배 이상 향상돼 대화면의 초고해상도 디스플레이에서 다양하고 복잡한 작업을 동시에 실행하더라도 빠르고 원활하게 처리할 수 있다.

삼성전자는 이달 512GB, 128GB eUFS 3.0 제품을 공급하기 시작하고 하반기에는 1TB, 256GB 용량도 제공해 글로벌 IT 고객들의 선택의 폭을 넓히고, 차세대 모바일 기기를 적기 출시할 수 있도록 지원할 계획이다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 "올해 1TB까지 라인업을 늘려 글로벌 모바일 제조사들이 프리미엄 시장에서 새로운 성장 분야로 도약하는 데 기여해 나갈 것"이라고 말했다.