실리콘 IGBT 대비 스위칭 손실 80% 낮다… 1200V 실리콘카바이드(SiC) MOSFET
실리콘 IGBT 대비 스위칭 손실 80% 낮다… 1200V 실리콘카바이드(SiC) MOSFET
  • 김주연 기자
  • 승인 2019.02.11 13:53
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

인피니언, 1200V 고전압 시스템에 적용가능한 제품 선보여… 인버터 효율 99% 이상

인피니언테크놀로지스(지사장 이승수)는 고전력 시스템에 적용할 수 있는 1200V 'CoolSiC' 실리콘카바이드(SiC) 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 제품군을 출시했다고 11일 밝혔다.

 

▲인피니언의 CoolSiC MOSFET./인피니언
▲인피니언의 CoolSiC MOSFET./인피니언

CoolSiC Easy 2B 전력 모듈은 전력 밀도를 높여 시스템 비용을 낮추고, 운영 비용도 크게 낮출 수 있도록 한다. 실리콘 절연게이트양극성트랜지스터(IGBT) 대비 스위칭 손실이 약 80% 낮으므로 99% 이상의 인버터 효율을 달성할 수 있다.

SiC의 특성을 활용해서 동일하거나 더 높은 스위칭 주파수로 동작할 수 있다. 이 점은 무정전전원장치(UPS)나 에너지저장장치(ESS) 같은 고속 스위칭 애플리케이션에 특히 유리하다.

Easy 2B 표준 패키지를 적용한 전력 모듈은 기생 인덕턴스가 업계에서 가장 낮다. 인피니언은 하프 브리지, 6팩, 부스터 모듈 등 Easy 패키지를 적용해서 업계에서 가장 다양한 구성의 SiC 제품을 제공한다.

하프 브리지 구성의 CoolSiC Easy 2B를 사용해서 4팩(단상) 및 6팩(3상) 토폴로지를 손쉽게 구현할 수 있다. 이 신제품으로 하프 브리지 토폴로지로 지원 가능한 전력대를 확장하게 되었으며, 스위치당 온 저항(RDS(ON))은 6 mΩ에 불과하다. 이것은 Easy 2B 패키지를 적용한 디바이스로서 업계에 새로운 기준을 제시하는 것이다.

또한 CoolSiC MOSFET 칩에 바디 다이오드를 통합하여 저손실 프리휠링 기능이 가능하고 별도의 다이오드 칩이 필요하지 않다. NTC 온도 센서를 통합하여 디바이스 모니터링을 할 수 있고, PressFIT 기술을 적용하여 디바이스를 탑재할 때 어셈블리 시간을 단축할 수 있다.


댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.