중국도 와이드밴드갭(WBG) 시장 키운다
중국도 와이드밴드갭(WBG) 시장 키운다
  • 김주연 기자
  • 승인 2018.12.20 11:47
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사난, 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 및 파운드리 공정 인증 획득

전력 반도체 시장의 성장에 힘입어 와이드밴드갭(WBG) 소재가 각광받고 있다. WBG 소재는 실리콘보다 고온·고압에 강하지만, 다루기 까다로운 소재로도 정평이 나있다. 일본, 유럽 업체가 점유하던 이 시장에 중국도 세를 확장하고 있다.

 

사난(SANAN IC)은 6인치 실리콘카바이드(SiC) 에피텍셜(Epitexial) 웨이퍼 제조 및 SiC 반도체 외주생산에 대한 공정 관련 인증을 획득했다고 20일 밝혔다.

이 회사는 갈륨비소(GaAs), 질화갈륨(GaN), 인화인듕(InP) 등 WBG 제품군을 갖고 있다. 

이번에 추가된 SiC 공정 기술은 650V, 1200V 및 그 이상 등급의 쇼트키 배리어 다이오드(SBD) 장치 구조를 제공한다. 곧 900V 및 1200V 이상 등급의 SiC 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 공정 기술도 확보할 계획이다.

SiC SBD와 SiC MOSFET 기술은 650V 이상의 전력변환이 필요한 시스템에 사용된다. 실리콘 대비 SIC의 높고 강력한 효율, 전력 밀도, 스위칭 주파수, 브레이크다운 특성, 더 작고 가벼운 시스템 설계가 제시하는 이점을 고려해 자동차, 발전소, 이동통신 기지국 등에서 채택률이 높아지고 있다.

시장조사기관 욜디벨롭먼트에 따르면 SiC 기반 전력 반도체 시장은 연평균 31% 성장해 2023년 1조5000달러(약 1695조원) 규모로 성장할 전망이다. 

레이먼드 카이(Raymond Cai) 사난 최고경영자(CEO)는 “높은 효율, 스위칭 주파수, 고온 특성으로 SiC가 실리콘 솔루션을 대체함으로써 고성장할 이 분야에 엄청난 사업 기회가 있다고 믿는다”며 "우리는 강력한 공급 기반을 가지고, 업계 베테랑으로 구성된 글로벌 팀을 보유했다"고 말했다.


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