견고성·신뢰성 강화하고 부품 비용(BOM)은 낮췄다

인피니언테크놀로지스(지사장 이승수)는 자사 실리콘온인슐레이터(SOI) 기술을 기반으로 한 650V급 하프 브리지 게이트 드라이버 ‘EiceDRIVER 2ED’를 출시했다고 12일 밝혔다.

 

▲인피니언이 650V 하프 브리지 게이트 드라이버를 출시했다./인피니언
▲인피니언이 650V 하프 브리지 게이트 드라이버를 출시했다./인피니언

이 제품은 네거티브 과도응답(negative transient), 래치업(Latch up)에 대한 내성이 뛰어나다. 부트스트랩 다이오드와 고주파 스위칭을 결합, 시스템 견고성과 신뢰성을 높이고 크기를 소형화해 전체 부품 비용(BOM)을 낮출 수 있게 했다.

‘EiceDRIVER 2ED’는 360㎃ 및 700㎃의 소싱 및 싱크 전류를 지원하며, 전달 지연시간은 310㎱ 및 300㎱다.

가전 기기나 저전력 드라이브, 1㎾ 미만의 범용 인버터형 모터 드라이브 기기에 적합하다. 최대 650V 정격의 절연게이트양극성트랜지스터(IGBT)·금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 스위치와 완벽한 조합을 이룬다.

내장된 부트스트랩 다이오드는 36Ω의 정격 온저항에서 매우 빠른 역회복 특성을 제공한다. 네거티브 트랜션트 내성은 -100V의 반복 펄스를 보정할 수 있다. 보호 기능으로 상하 전원에 대한 독립적인 저전압 록아웃(UVLO) 기능도 제공한다.

 

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