전력관리 칩 수요 대응

중국 아날로그반도체 파운드리 기업 CSMC가 3세대 0.18㎛ BCD 공정 플랫폼 개발에 성공했다고 밝혔다. CSMC는 중국 화룬그룹(华润集团) 산하의 반도체 사업체다.

 

CSMC의 차세대 BCD 공정 플랫폼은 콘덕션 저항을 줄이면서 부품의 신뢰성을 높였다. 공정 원가를 낮추면서 7V~40V의 넓은 작동 전압 범위를 갖췄다. 전원관리IC를 위한 설계를 제공할 수 있는 경쟁력 있는 공정 솔루션이라는 것이 회사의 설명이다.

 

3세대  0.18㎛ BCD 공정은 대량의 시뮬레이션 및 테이프아웃 데이터를 기반으로 고압 부품 구조를 최적화해 종합적인 성능을 업계 선두 수준으로 끌어올렸다. 이중 30V nLDMOS의 브레이크다운 전압이 50V에 이른다. 콘덕션 저항은  15 mohm*㎟로 2세대 0.18㎛ BCD 공정과 대비해 품질 인자(Ron*Qg) 지표상 25% 가량 최적화됐다.

 

▲CSMC 로고 이미지. /CSMC 제공


 

차세대 BCD 공정 플랫폼은 BJT, Poly 저항, Zener, SBD 등 다양한 부품을 제공한다. 여러 동작 잔업의 ESD 보호 솔루션도 된다. 최근 스마트폰, CCTV, 소비자 가전 등 다양한 영역 제품에 쓰이고 있다.

 

중국 주요 아날로그 반도체 파운드리 기업으로서 CSMC는 BCD 공정 플랫폼에서 이미 여러해 노하우를 축적했다. 6인치 생산라인부터 8인치 생산라인, 1μm부터 0.18μm까지 여러 공정으로 설계 수요에 대응할 수 있다.

 

회사측은 “3세대 3세대 0.18㎛ BCD 공정은 가성비 높은 솔루션이 될 수 있을 것”이라며 “향후에도 BCD 공정의 경쟁력을 높여 전원관리 칩 수요에 대응하겠다”고 설명했다.


 

저작권자 © KIPOST(키포스트) 무단전재 및 재배포 금지