인피니언테크놀로지스는 새로운 질화갈륨(GaN) 전력반도체 제품군(모델명 CoolGaN IPS)를 출시한다고 17일 밝혔다. GaN은 실리콘카바이드(SiC)와 함께 대표적인 와이드밴드갭(WBG) 소재로 꼽힌다. 밴드갭이 크면 높은 온도 및 고전압에서도 문제 없이 작동한다. 인피니언은 CoolGaN IPS가 충전기와 어댑터, SMPS(전원공급장치) 같은 중저전력대 애플리케이션에 적합하다고 설명했다. 600V CoolGaN 하프브리지 IPS IGI60F1414A1L은 중저전력대의 작고 가벼운 디자인에 적합하다. 열적으로 향상된 8x8 Q
DB하이텍은 지난 1분기 매출 2437억원, 영업이익 606억원을 각각 기록했다고 14일 공시했다. 매출은 전년 동기 대비 8% 증가했고, 영업이익은 6% 감소했다. 이 기간 영업이익률은 25%를 기록했다. DB하이텍은 영업이익이 감소한데 대해 설비 감가상각비 증가에 따른 영향이라고 설명했다.DB하이텍은 지난해 전력반도체와 센서, 디스플레이 구동칩 등 시스템반도체 수요가 증가에 힘입어 2년 연속 최대 실적을 기록한 바 있다. DB하이텍 관계자는 “현재 경기도 부천과 충북 음성에 위치한 2개 팹 모두 풀가동을 유지하고 있고, 고객수주
삼성전자가 '시스템반도체 비전 2030' 달성을 위한 투자를 대폭 확대한다고 밝혔다.2030년까지 시스템 반도체 부문 투자금액을 171조원으로 확대해 파운드리 공정 연구개발 및 시설 투자를 가속화한다. 평택캠퍼스 P3 라인은 내년 하반기 완공 예정이다. 삼성전자는 13일 평택캠퍼스에서 열린 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 시스템 반도체 분야 추가 투자계획을 발표했다.시스템 반도체 비전 2030은 삼성전자가 2030년까지 파운드리를 포함한 시스템 반도체 부문 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 담고 있다
인텔은 '상호 연결 병목 현상' 해결 방안에 관한 주요 연구 결과를 발표했다고 13일 밝혔다. 상호 연결 병목 현상은 극저온 희석냉장고에 위치한 양자 칩과 큐비트를 제어하는 복잡한 실온 전자기기 사이에 존재하는 현상을 의미한다. 인텔은 큐텍, 델프트 공과대학교, 네덜란드 국영 응용 과학연구소와 함께 연구 결과를 발표했다. 인텔 측은 해당 연구 결과가 연구 과학 저널 '네이처(Nature)'지에 게재됐다고 밝혔다. 양자 컴퓨팅의 주요 병목 현상은 희석 냉장고에서 극저온으로 저장된 양자 칩과 큐비트를 제어하
극한의 반도체 미세 공정 기술 경쟁과 함께 전 산업적으로 반도체 수급이 팽창되고 있는 시점에서 반도체 소재 기술 혁신의 특이점(singularity)이 도래했다는 의견이 나왔다. 반도체 서플라이 체인에서 소재가 갖는 영향력은 향후 더욱 커질 것으로 보인다. 12일 온라인으로 진행된 SMC(Strategic Material Conference) KOREA 2021 라이브세션에서 연사로 나선 김윤호 삼성전자 파운드리사업부 소재기술그룹장은 "머티리얼이 반도체 생사를 좌지우지할 수 있다는 움직임은 2010년 이미 시작됐다고"고 말했다. 김
프로그래머블반도체(FPGA)의 사용 영역이 점차 확대되면서 공장 자동화 솔루션도 FPGA를 도입하는 사례가 늘고 있다. 통합 제어를 위해 수집해야 하는 데이터가 늘어나고, 관리해야 하는 모터 수도 많아지면서 유연한 확장성을 보유한 FPGA가 마이크로컨트롤러(MCU)나 디지털신호프로세서(DSP)의 대안이 될 수 있기 때문이다.저전력 FPGA 회사 래티스반도체는 ‘래티스 오토메이트(Lattice Automate) 스택을 출시, 공장자동화 분야에 진출한다고 12일 밝혔다.윤장섭 래티스반도체코리아 지사장은 “단일 공장을 포함해 스마트팩토리
인텔이 새로운 11세대 인텔 코어 H시리즈 모바일 프로세서(코드네임 타이거레이크-H)를 12일 공개했다.11세대 인텔 H시리즈 프로세서는 11세대 인텔 코어 H35 시리즈의 성능을 확장한 프로세서다. 10나노 슈퍼핀 공정 기술을 기반으로 최대 8코어와 16스레드를 갖췄다. 플래그십 모델인 '인텔 코어 i9-11980HK'은 싱글 코어 및 듀얼 코어 터보 성능 기준 최대 5GHz의 속도를 지원한다. 가장 큰 특징은 CPU(중앙처리장치)가 그래픽 카드에 부착된 고속 GDDR6 메모리에 직접 접근가능하다는 것이다. 인텔 측
삼성전자가 업계 최초로 '컴퓨트 익스프레스 링크(Compute Express Link, CXL)' 기반 D램 메모리 기술을 개발했다. CXL 기술을 적용하면 기존 D램에서 처리할 수 있는 데이터가 수 테라바이트급 이상 늘어날 수 있다. 삼성전자는 CXL 기반의 D램 메모리 기술이 인텔의 플랫폼 검증을 마치고 현재 글로벌 주요 데이터센터, 클라우드 업체들과 협력을 확대해나가고 있다고 11일 밝혔다. 기존 SoC(시스템온칩)에는 사용할 수 있는 D램의 용량이 정해져 있다. 최근 인공지능, 머신러닝 등 빅데이터 사용이 늘어
인피니언테크놀로지스는 'CoolSiC' 모스펫(MOSFET) 기술을 채택한 새로운 자동차용 전력모듈을 출시한다고 11일 밝혔다. 신제품(Drive CoolSiC)은 전기차용 트랙션 인버터에 최적화되었다. 높은 전력 밀도와 높은 성능을 요구하는 애플리케이션에 적합하다. 특히 800V 배터리 시스템이나 더 큰 높은 배터리 용량의 자동차의 경우 더 높은 인버터 효율을 달성해 주행 거리를 늘리고 배터리 비용을 낮출 수 있도록 한다.마크 뮌쳐 (Mark Münzer) 인피니언 혁신 및 신생 기술 책임자는 “e-모빌리티 시장이
글로벌 반도체 수급난과 그에 따른 각국의 반도체 육성 전략이 본격화되면서 국내서도 반도체 지원 정책이 마련되고 있다. 국회에서는 더불어민주당이 당내 반도체기술특별위원회를 구성해 반도체 특별법 제정을 준비 중이다. 정부는 내주 각종 세제 혜택을 포함한 K 반도체 벨트 전략을 발표한다. 업계는 이같은 움직임을 환영하는 동시에 우려감을 표시하고 있다. 정부 주도의 산업 육성 정책이 자칫 실효성 없는 구호로 그칠 수 있기 때문이다. 특히나 시스템 반도체 분야 등에서 핵심이라 할 수 있는 인력 양성 문제는 아직까지 뚜렷한 실마리를 찾지 못하
네패스아크는 팬아웃-패널레벨패키지(FO-PLP) 및 팬아웃-웨이퍼레벨패키지(FO-WLP) 테스트 설비 확충을 위해 280억원을 투자한다고 6일 밝혔다. 팬아웃 패키지는 입출력(I/O) 단자 배선을 칩 바깥으로 빼 I/O 개수를 늘리는 기술이다. FO-PLP는 사각형 패널 위에서, FO-WLP는 원형 웨이퍼 위에서 공정이 이뤄진다는 점만 다르다. FO-PLP 패널 면적이 FO-WLP 웨이퍼 면적보다 넓다는 점에서, 수율이 같다면 생산성은 FO-PLP 쪽이 높다.네패스아크의 모회사 네패스는 FO-PLP 사업을 위해 지난 2019년 미국
국제반도체장비재료협회(SEMI)는 지난 1분기 실리콘 웨이퍼 출하면적이 33억3700만in2(제곱인치)로 작년 4분기 대비 4% 늘었다고 4일 밝혔다. 지난해 같은 기간 29억2000만in2에 비해서는 14% 상승한 수치다. 역대 최고치였던 2018년 3분기 기록을 넘어섰다. SEMI의 실리콘 제조그룹(SMG) 의장이자 신에츠 한도타이(Shin Etsu Handotai) 아메리카 제품 개발 및어플리케이션 담당 이사인 닐 위버는 “로직 반도체 및 파운드리가 실리콘 웨이퍼 출하량 증가의 가장 강력한 요인이며, 메모리 시장의 회복 또한
인텔은 크립토재킹 방지를 위해 MS(마이크로소프트)와 협력한다고 29일 밝혔다.크립토재킹은 사이버 범죄자들이 비즈니스 및 개인용 컴퓨터, 노트북, 모바일 기기에 악성 프로그램을 설치해 암호화폐를 탈취하는 공격 기법이다. 인텔은 마이크로소프트 디펜더 포 엔드포인트에 탑재된 인텔 위협 탐지 기술이 메모리 스캔 기능을 넘어 CPU(중앙처리장치) 기반 크립토마이닝(cryptomining) 머신 러닝 감지 활성화에 활용될 것이라고 설명했다. 양사는 인텔 TDT(Threat Detection Technology) 기능 확장을 통해 보다 빠르게
삼성전자가 지난 1분기 미국 텍사스 오스틴 공장 정전 탓에 총 7만1000장의 웨이퍼 생산 차질을 빚은 것으로 집계됐다. 이에 따른 손실 금액은 약 3000억~4000억원 수준으로 파악됐다.한승훈 삼성전자 파운드리사업부 전무는 29일 1분기 실적발표 후 열린 컨퍼런스콜에서 “현재는 오스틴 공장이 단전 이전 수준 가동률을 기록하고 있다”며 이 같이 밝혔다. 한 전무는 “이번 단전은 예고된 것이어서 사태 이전부터 피해를 최소화하기 위한 작업을 진행해왔다”고 덧붙였다. 오스틴 공장은 지난 2월 16일 텍사스 지역 한파 탓에 전기와 용수
세계적인 반도체 제조 리쇼어링(Reshoring) 추세에 따라 국내서도 투자 촉진을 위한 특별법 발의가 추진된다. 더불어민주당 내 '반도체 특위' 출범과 더불어 국내 반도체 산업 지원을 위한 법적 제도 마련에 대한 요구가 더욱 커지는 분위기다. 28일 더케이호텔 서울에서 열린 '반도체산업의 글로벌 경쟁력 강화를 위한 토론회'에서 박재근 한국반도체디스플레이기술학회 회장(한양대 융합전자공학부 교수)은 '차세대 반도체 발전 특별법(가칭)' 제정을 제안하며 그 배경을 설명했다. 미국·대만·중국 등
반도체 설계자산(IP) 업체 ARM은 28일 열린 온라인 기자 간담회를 통해 고성능컴퓨팅에 최적화된 차세대 반도체 IP 플랫폼 '네오버스 V1·N2'를 공개했다. 이를 통해 네이버·카카오·SK 등 국내 클라우드 사업자들과 협력, 국내외 클라우드 시장 공략에 나선다는 계획이다. 황선욱 ARM코리아 지사장은 "아직은 국내 클라우드 사업자와는 직접적인 협력은 하고 있지 않지만 궁극적으로는 국내외 클라우드 사업자와 협력하는 것이 목표"라며 "국내 클라우드 사업자들이 네오버스 CPU(중앙처리장치)를 사용한 제품을 개발할 수 있
SK하이닉스는 현재 12인치나 선단 공정 파운드리(반도체 위탁생산) 진출 계획이 없다고 밝혔다. SK하이닉스의 파운드리 투자는 당분간 8인치 중심으로 확대될 예정이다. 28일 1분기 실적 컨퍼런스콜을 통해 SK하이닉스는 이같은 내용을 발표했다. SK하이닉스 측은 "현재 파운드리 투자와 관련해서는 8인치에 집중된 계획을 고려 중"이라며 "당장 12인치나 선단 공정 파운드리 진출 계획이 현재로서는 없다"고 선을 그었다. 최근 차량용 반도체를 비롯한 글로벌 반도체 수급난으로 인해 업계에서는 SK하이닉스의 파운드리 투자 확대에 이목이 쏠려
넥스페리아는 2 세대 650V 전원 질화 갈륨(GaN) FET 소자 제품군을 공급한다고 27일 밝혔다. RDS(on) 성능을 35mΩ(일반)까지 낮춘 이 전력 GaN FET는 2kW에서 10kW까지 이르는 단상 AC/DC 및 DC/DC 산업용 전환 모드 SMPS(전원공급장치) 등에 적용된다. 또 동일한 전력 범위에서 태양광 인버터 및 서보 드라이브에 적합하다고 넥스페리아측은 설명했다.신제품은 'TO-247' 패키지로 제공되며 주어진 RDS(on) 값에 대해 다이 크기를 36% 줄였다. 덕분에 안정성과 효율성이 향상됐다
인피니언테크놀로지스는 MEM(미세전자기계시스템) 기반의 마이크로폰(모델명 XENSIV IM67D130A)를 출시한다고 27일 밝혔다. IM67D130A는 자동차용 고성능 저잡음 제품이다. 영하 40°C부터 영상 105°C의 가혹한 온도 조건에서도 동작하며 130dB SPL의 높은 음향 과부하점(AOP)으로 소음이 심한 환경에서 왜곡없이 오디오 신호를 포착할 수 있다. 자동차 내부와 외부 모두에 사용할 수 있다. 핸즈프리 시스템, 비상통신시스템 (eCall), 차내 통신, ANC(액티브노이즈캔슬링) 등 차내 애플리케이션도 적용할 수
엔비디아는 새로운 '8세대 드라이브 하이페리온 플랫폼'을 공개한다고 26일 밝혔다. 8세대 하이페리온은 올해 안에 엔비디아 드라이브 에코시스템에 제공될 예정이다.엔비디아 측은 엔비디아 드라이브 하이페리온을 통해 회사들이 보다 지능적인 SW(소프트웨어) 정의 자동차로의 변화를 수용할 수 있다고 밝혔다. 또한 자율주행차 개발에 필요한 센서와 고성능 컴퓨팅 및 소프트웨어를 포함하며 모두 즉시 검증·보정·동기화가 가능하다고 부연했다.하이페리온은 자율주행 시스템을 검증하는 데 필요한 모든 하드웨어와 함께 제공된다. 두 개의 엔