NXP반도체가 상단 냉각(top-side cooled) RF 증폭기 모듈 제품군을 16일 발표했다.해당 제품군은 더 얇고 가벼운 5G 인프라용 라디오를 구현하기 위해 설계된 패키징 혁신을 기반으로 한다. 이와 같은 소형 기지국은 설치가 쉽고 경제적이며 보다 자연스럽게 주변 환경과 어우러질 수 있다.NXP의 GaN 멀티칩 모듈 시리즈는 업계 최초의 RF 전력용 상단 냉각 솔루션과 결합돼 라디오의 두께 및 무게를 20% 이상 줄일 수 있다. 5G 기지국의 제조 및 배포에 필요한 탄소 발자국도 감축한다.NXP의 새로운 상단 냉각 장치는
NXP 반도체는 GaN(질화갈륨) 기술을 멀티칩 모듈 플랫폼에 통합해 5G(5세대) 이동통신 에너지 효율성을 크게 향상시켰다고 29일 밝혔다.에너지 소비 절감은 통신 인프라의 주목표다. 멀티칩 모듈에서의 GaN 기술 도입은 2.6GHz에서의 라인업 효율성을 이전 세대 대비 8% 포인트 높은 52%로 향상했다. NXP는 이것에 더불어 LDMOS와 GaN의 조합을 통해 단일 장치에서 400MHz의 즉각적인 대역폭을 지원함으로써 단일 전력 증폭기로 광대역 무선 장치를 설계할 수 있게 만들었다.NXP의 5G 멀티 칩 모듈을 통해 에너지 효
NXP 반도체는 셀룰러 기지국의 5G mMIMO(Massive Multiple Input Multiple Output, 대용량 다중 입출력) 액티브 안테나 시스템을 지원하는 '에어패스트(Airfast) RF 파워 멀티칩 모듈(MCM)' 2세대 제품군을 출시했다고 3일 밝혔다. 기지국 커버리지 넓히고, 전력 소모량은 줄이고5G 커버 영역을 넓힐 수 있는 올인원 파워 앰프 모듈 제품군으로, NXP의 이전 세대 MCM과 동일한 풋프린트 내에서 더 높은 출력 전력, 확장된 주파수 커버리지, 더 높은 효율성을 제공한다. 이 제
[편집자주] 첨단 제조업계 종사자들은 어떤 콘텐츠에 주목할까요? 첨단산업 전문매체 KIPOST 뉴스레터 회원들이 한주간 눈여겨 보셨던 기사를 순서대로 정리했습니다. KIPOST는 국내 4대 제조 대기업(삼성, LG, SK, 현대) 계열사 재직자를 비롯해 IT, 자동차 등 대한민국을 이끄는 산업계, 금융계, 정부 유관 기관과 학계 등 다양한 분야에서 보고 계십니다. 1. 7분기만에 흑자 LG디스플레이, 2021년은 안갯속2. 5G⋅카메라⋅라이다에 방점 찍은 아이폰12...UWB 생태계 확대3. GaN이 LDMOS를 완전히 대체할 수
신종 코로나 바이러스 감염증(코로나19)과 미국의 화웨이 제재로 멈칫했던 5세대 이동통신(5G) 투자에 다시 불이 붙고 있다.4G 투자 때 시작됐던 LDMOS(Lateral Double diffused MOS) 기반 전력 증폭기(PA)와 질화갈륨(GaN) 기반 PA의 경쟁 역시 재개됐다. 4G 때는 LDMOS PA의 비중이 다소 컸지만, 5G 때는 반대로 GaN PA의 비중이 크다. 물론 그렇다고 GaN PA가 LDMOS를 완전히 대체할 수 있는 건 아니다. 4G: LDMOS에서 GaN으로전력 증폭기는 입력 전원으로부터 전력을 받아
전기차와 5세대 이동통신(5G) 등장에 힘입어 와이드밴드갭(WBG) 반도체 시장이 급격히 커지고 있다. 상대적으로 기술 발전이 빨랐던 실리콘카바이드(SiC)는 벌써 6인치 중심에서 8인치로 넘어가는 전환기를 맞았다.기술적 한계 탓에 좀처럼 커지지 못했던 갈륨나이트라이드(GaN) 역시 빛을 발하기 시작했다. 전력, 무선통신(RF) 등 다양한 분야에서 수요가 늘어나면서 시장 선점을 위해 여러 업체가 출사표를 던지고 있다. GaN은 왜 SiC만큼 주목받지 못했나GaN은 실리콘(Si)보다 전력 효율이 높고 신호 변환(Switching) 속
NXP반도체는 5세대(5G) 이동통신 기지국용 대규모 다중입출력(Massive MIMO) 능동 안테나 시스템(active antenna systems) 개발을 지원하는 무선통신(RF) 및 전력 멀티칩모듈(MCM) 제품군 '5G 에어패스트(Airfast)'를 출시했다고 2일 밝혔다.NXP의 5G 에어패스트(Airfast) 솔루션은 컴팩트한 파워 앰프(PA), 짧아진 설계 사이클, 간소화된 제조공정 등 고도로 통합된 기술에 기반을 두고 있다.에어패스트 제품군은 3~5W의 출력 전력, 2.3㎓~3.8㎓ 주파수 대역을 지원하
국내 기업이 차세대 무선통신(RF) 반도체 재료인 질화갈륨-온-다이아몬드(GaN-on-Diamond) 증착 기술을 국내 최초로 개발했다.질화갈륨-온-다이아몬드는 방열 특성이 월등히 좋아 고성능·고열·고전압 이동통신 설비에 적합하다. 회사는 향후 전체 생산 공정 및 각 공정별 장비를 개발해 질화갈륨-온-다이아몬드를 기반으로 한 RF 부품을 출시할 계획이다. RFHIC, 질화갈륨-온-다이아몬드 대면적 증착 성공RFHIC(대표 조덕수)는 최근 4인치 질화갈륨-온-다이아몬드 웨이퍼 제조 기술을 개발했다고 2일 밝혔다. RF 반도체는 다른
NXP반도체가 갈륨나이트라이드온실리콘카바이드(GaN-on-SiC) 시장에 뛰어들었다. GaN-on-SiC는 전자이동성을 높이고 고전압과 고열에 버틸 수 있도록 두 와이드밴드갭(WBG) 소재를 결합한 기판 재료다.NXP반도체는 GaN-on-SiC 기반 무선통신(RF) 전력 트랜지스터 'MRF24G300HS'를 출시했다고 5일 밝혔다.이 제품은 갈륨나이트라이드(GaN)의 높은 효율을 활용해 2.45㎓에서 다른 마그네트론보다 효율이 좋다. 실리콘카바이드(SiC)의 열전도 성능을 채용, 연속파(CW) 작동을 보장해준다.2.4
중국 아날로그반도체 파운드리 기업 CSMC가 3세대 0.18㎛ BCD 공정 플랫폼 개발에 성공했다고 밝혔다. CSMC는 중국 화룬그룹(华润集团) 산하의 반도체 사업체다. CSMC의 차세대 BCD 공정 플랫폼은 콘덕션 저항을 줄이면서 부품의 신뢰성을 높였다. 공정 원가를 낮추면서 7V~40V의 넓은 작동 전압 범위를 갖췄다. 전원관리IC를 위한 설계를 제공할 수 있는 경쟁력 있는 공정 솔루션이라는 것이 회사의 설명이다. 3세대 0.18㎛ BCD 공정은 대량의 시뮬레이션 및 테이프아웃 데이터를 기반으로 고압 부품 구조를 최적화해 종합적
5세대(5G) 이동통신 시대가 다가오면서 반도체 업계가 질화갈륨(GaN) 반도체 제품군을 확장하고 있다. N...
5세대(5G) 이동통신망(인프라)을 빠르고 저렴하게 구축할 수 있는 솔루션이 속속 나오고 있다.NXP반도체(...
크리(Cree)가 무선통신(RF) 사업을 강화한다.크리는 7일(현지 시각) 인피니언테크놀로지스의 RF 파워(...
(iTers News) - You may have no way of knowing that your cell phone keeps talking with a cellular base station even in a standby mode when you don’t use it. Neither might you be aware that the farther you move away from the nearest base station, the higher it amplifies radio signal power not to lose
(iTers News) – NXP Semiconductors N.V. has introduced the BLF188XR – the newest member of its XR family of “eXtremely Rugged” LDMOS RF power transistors. Designed for the toughest engineering environments, the BLF188XR delivers improved ruggedness in real-world conditions, withstanding a severe load
(iTers News) – Enpirion released EN2300 family of DC to DC high-density integrated power IC solutions in what it said is the industry‘s highest power density device on the market, zeroing in on such applications as telecommunications, enterprises, industrial, embedded computing and storage systems.O